| 主权项 |
1.一种在一化学机械平面化制程中将工件平面化 之方法,其包含施加一循环向下及向上力至在平面 化时压抵一抛光垫片之晶圆,或至该垫片,以及使 该循环力与该垫片可压缩性相关,以使该垫片之高 度保持如在一典型之习知先前技艺平面化制程所 采用之一压缩位置与一解压缩位置之间。2.根据 申请专利范围第1项之方法,其中该化学机械平面 化制程采用一旋转垫片。3.根据申请专利范围第1 项之方法,其中该化学机械平面化制程采用一线性 移动垫片。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中 该工件为一半导体晶圆。5.一种将一基片化学机 械平面化基片之方法,包含下列步骤: 供给一化学机械平面化装置,包含一旋转盘或一线 性移动台板,及一在其表面之可压缩平面化垫片, 该可压缩垫片有一以秒计之松弛时间定义为TR; 在该垫片之表面供给一平面化淤浆; 供给一予以平面化之基片; 提供循环向下及向上力至该基片或至该垫片,在施 加力时,使该基片保持抵靠该垫片之表面,因而在 施加力时,该垫片之高度依照下列公式保持在一解 压缩高度与一压缩高度中间: TR>THI及TLO 其中THI为该垫片受到向下力之时间,及TLO为该垫片 受到向上力之时间; 继续方法,直到该基片平面化。6.根据申请专利范 围第5项之方法,其中该平面化装置采用一旋转盘 。7.根据申请专利范围第5项之方法,其中该平面化 装置采用一线性移动台板。8.根据申请专利范围 第5项之方法,其中该基片为一半导体晶圆。9.一种 在一工件上将一表面平面化之装置,包含: 一可旋转盘或线性移动台板总成; 一平面化可压缩垫片,支承在总成上,该垫片有一 以秒计之松弛时间,定义为TR; 一可旋转托座,位于总成上面,并适于在平面化时 固持一工件,而工件固着在该托座之下表面,并位 于该托座与该平面化垫片之间; 一装置,提供一循环向下及向上力至该托座及该工 件或至该垫片,从而在该平面化制程中,该垫片之 高度保持在一压缩位置与一解压缩位置之间。10. 根据申请专利范围第9项之装置,其中该总成采用 一可旋转盘。11.根据申请专利范围第9项之装置, 其中该总成采用一线性移动台板。12.根据申请专 利范围第9项之装置,其中该工件为一半导体晶圆 。图式简单说明: 第一图为一CMP可旋转盘及平面化垫片总成之示意 侧视图,示在先前技艺平面化制程及本发明之平面 化制程,垫片之不同高度。 第二图A为曲线图,示晶圆及晶圆托座总成在垫片 所施加向下及向上力对CMP制程之时间。 第二图B为曲线图,示在先前技艺CMP制程及在本发 明之CMP制程,垫片高度之变化对时间。 第三图为一供平面化半导体晶圆之代表性先前技 艺回转CMP装置之示意图。 第四图为一供平面化半导体晶圆之代表性先前技 艺线性CMP装置之示意图。 |
