| 发明名称 | 用于半导体存储器的芯片内可编程数据模式发生器 | ||
| 摘要 | 根据本发明的一种半导体存储器芯片(100)包括一个被测试的第一存储器矩阵(102);它包括多个按行和列方式排列的存储器单元,这些存储器单元可以通过利用位线(BL)和字线(WL)向其进行读和写数据而被存取,在输入/输出引脚(DQ)提供数据,和一个模式发生器(108),它形成在该存储器芯片之内。 | ||
| 申请公布号 | CN1284724A | 申请公布日期 | 2001.02.21 |
| 申请号 | CN00108863.7 | 申请日期 | 2000.05.17 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术北美公司 | 发明人 | G·弗兰科夫斯基 |
| 分类号 | G11C11/00;G11C29/00 | 主分类号 | G11C11/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张志醒 |
| 主权项 | 1．一种半导体存储器芯片，包括：一个被测试的第一存储器矩阵，它包括多个按行和列方式排列的存储器单元，所述存储器单元可以通过利用位线和字线向其进行读和写数据而被存取，在输入/输出引脚提供所述数据；和一个模式发生器，它形成在所述存储器芯片之内，所述模式发生器还包括：一个具有多个存储器体的可编程存储器矩阵，所述存储器体具有多个按行和列方式排列的存储器单元，所述存储器体可以存储按照被产生来用于所述第一存储器矩阵的各输入/输出引脚的模式的数据；和用于对存储在所述可编程存储器矩阵中的数据进行寻址的装置，以便按地址寻找到要传输至或来自所述第一存储器矩阵的单个数据。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||