发明名称 | 微机电调谐共焦垂直腔面发射激光器与法布里-珀罗滤光器 | ||
摘要 | 提供了一种方法可以精确地控制横向和纵向尺寸来制作微机电调谐垂直腔面发射激光器和微机电调谐法布里-珀罗滤光器。应变的反射介质膜堆用于多量子阱结构以对量子阱进行电子学的能带加工。也利用反射介质膜层中的适当应变而在一个反射介质膜堆中产生适当的弯曲,从而在垂直腔面发射激光器或滤光器的平面反射介质膜堆和曲面反射介质膜堆间形成共焦腔。也提供了微机电调谐垂直腔面发射激光器和滤光器结构,它包含一悬膜结构,这是由介质/金属膜或金属薄膜制成的,在其周围被金属支柱固定时,悬膜结构支持着腔调谐反射介质膜堆。空腔的精确长度和横向尺寸是使用微机械的聚酰亚胺或铝盘作牺牲层的微模铸法来实现的。而且,控制静电场使腔调谐反射介质膜堆平移来实现调谐。 | ||
申请公布号 | CN1285034A | 申请公布日期 | 2001.02.21 |
申请号 | CN98813831.X | 申请日期 | 1998.12.28 |
申请人 | 核心科技公司 | 发明人 | P·塔耶巴蒂;M·阿兹米;王培栋;D·瓦克肖里 |
分类号 | G01B9/02;G02B26/00;H01S5/32;H01L21/20 | 主分类号 | G01B9/02 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 梁永;张志醒 |
主权项 | 1.在已生长的半导体晶体材料的量子阱中引入预选大小及类型的应变的方法,它包括以下步骤:提供一个由所说半导体晶体材料构成的部件,它具有上表面和确定的多量子阱;在所说部件的上表面上至少淀积一层薄膜,它含有预选大小和类型的应变,在所说的至少一层薄膜中所说的应变类型与希望引入所说部件的应变类型相反。 | ||
地址 | 美国麻萨诸塞州 |