| 摘要 |
<p>실리콘 기판(1)상에 형성된 액세스 트랜지스터 A1의 드레인 영역은 n, n형 드레인 영역(6a), (8a)이고, 소스 영역은 n, n형 소스 영역(6b), (8b)이다. 드라이버 트랜지스터의 소스 영역은 n, n형 소스 영역(6c), (10)이고, 드레인 영역은 n, n형 드레인 영역(6b), (8b)이다. n형 소스 영역(10)은 n형 드레인 영역(8b)보다도 깊게 형성되어 있다. 이것에 의해, 제조 코스트의 상승이 억제되고, 스태틱 노이즈 마진의 향상이 도모되는 반도체 장치가 얻어진다.</p> |
