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发明名称 Lichtemittierende Diode mit dotierter Grenzflächenschicht zum Steuern von Verunreinigungen und Verfahren zum Herstellen derselben
摘要
申请公布号 DE19905516(C2) 申请公布日期 2001.02.15
申请号 DE19991005516 申请日期 1999.02.10
申请人 AGILENT TECHNOLOGIES, INC. (N.D.GES.D.STAATES DELAWARE) 发明人 KERN, R. SCOTT;CHEN, CHANGHUA;GOETZ, WERNER;KUO, CHIHPING
分类号 H01L21/20;H01L33/32;H01S5/30;H01S5/32;H01S5/323;(IPC1-7):H01L33/00 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
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