| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 웨이퍼 상에 다층 박막의 층간 정렬 정도를 계측하기 위해 형성되는 오버레이 마크를 개시한다. 본 발명은 현행 공정 이전에 만들어진 복수개의 동일한 형상의 제 1 오버레이 마크 내에 현행 공정에서 만들어진 복수개의 제 2 오버레이 마크가 각각 다른 형상으로 형성되어 오버레이 마크의 위치를 식별할 수 있도록 한 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면 오버레이 측정장비에서 계측 레시피를 작성할 때 오버레이 마크를 쉽게 구별할 수 있으며, 오버레이 측정장비에서 계측함과 동시에 보여지는 오버레이 마크를 보면서 그 위치를 확인할 수 있게 되므로 오버레이 측정 이상으로 나올 수 있는 수율하락을 미연에 막을 수 있다.</p> |
