| 摘要 |
<p>워드 선과 공통 접속 선을 통하여 서로 공통적으로 접속된 SRAM 셀의 세트로 구성된 반도체 메모리 장치에서, 기판 전위 생성 회로는 워드 선에 접속되어 SRAM 셀에 공통 접속선을 통하여 워드 선의 선택 또는 비선택 상태에 의하여 결정되는 기판 전위를 공급한다. 기판 전위는 선택 상태내에서 접지 전위와 동일하고 비선택 상태내에서는 음전위가 된다. 기판 전위는 각 SRAM 내에 포함되는 구동 트랜지스터의 각각에 공급되어 누설 전류를 감소 시킨다.</p> |
