| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 장치의 배선 제조 방법에 관한 것으로서, 반도체 기판상에 제 1 절연층을 형성하는 공정과, 상기 제 1 절연층 내에 제 1 개구를 형성하는 공정과, 상기 제 1 개구에 배리아층으로 둘러싸인 제 1 배선을 다마신방법으로 형성하는 공정과, 상기 제 1 배선상에 적어도 1개 이상의 에치정지층을 포함하는 제 2 절연층을 형성하는 공정과, 상기 제 2 절연층 내에 제 2 개구를 형성하는 공정과, H플라즈마 처리로 상기 제 2 개구의 측벽에 증착된 상기 제 1 배선의 산화막을 환원하여 상기 제 1 배선의 금속막을 형성하는 공정과, Cu(hfac)와 TMVS(Trimethylvinylsilane)의 혼합가스를 이용하여 상기 제 1 배선의 금속막을 제거하는 공정과, 상기 제 2 개구에 상기 배리아층으로 둘러싸인 제 2 배선을 다마신방법으로 형성하는 공정을 구비한다. 따라서, 본 발명은 구리(Copper) 다마신 (Damascene)공정으로 형성된 배선과 비아(Via)를 포함하는 다층 구조의 메탈라이제이션에서 비아부의 구리화합물을 H플라즈마처리방법으로 구리산화물로 환원시키고, Cu(hfac)와 TMVS(Trimethylvinylsilane)의 혼합가스로 구리를 제거함으로 비아 저항을 낮춤과 동시에 비아 측벽의 구리(Cu)원자를 제거하여 구리의 해로운 효과를 방지할 수 있는 잇점이 있다.</p> |
