| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Halbleitererzeugnis umfassend einen halbleitenden, in einem ersten Leitfähigkeitstyp dotierten Körper (1), auf welchem eine Schottky-Kontaktschicht (2) aufgebracht ist, die mit dem Körper (1) einen Schottky-Kontakt (4) bildet. Lateral neben diesem ist eine Diodenstruktur umfassend ein in einem zweiten Leitfähigkeitstyp dotiertes und über eine ohmsche Kontaktschicht (11) mit der Schottky-Kontaktschicht (2) verbundenes erstes Gebiet (9) in dem Körper (1) angeordnet. Der Körper (1) besteht insbesondere aus einem Siliziumcarbid-Kristall.</p> |
