| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체장치의 배선 형성방법에 관한 것으로서 기판 상에 제 1 배선을 형성하는 공정과, 상기 제 1 배선을 포함하는 상기 기판 상에 제 1 절연막을 형성하는 공정과, 상기 제 1 배선 상의 상기 제 1 절연막을 식각하여 제 1 오프닝을 형성하는 공정과, 상기 제 1 절연막 상에 상기 제 1 오프닝의 상측부에서 접촉되게 제 2 절연막을 형성하여 상기 제 1 오프닝을 밀봉하는 공정과, 상기 제 1 배선과 대응하는 상기 제 1 및 제 2 절연막을 식각하여 제 2 오프닝을 형성하면서 상기 제 1 오프닝을 상기 제 1 배선이 노출되도록 연장하는 공정과, 상기 제 1 배선과 연결되도록 상기 제 1 및 제 2 오프닝 내에 제 2 배선을 형성하는 공정을 구비한다. 따라서, 제 1 오프닝과 대응하는 부분과 다른 부분에서 제 2 절연막은 두께 차이가 작고 평탄하게 형성되므로 제 2 감광막 노광시 난반사에 의한 헐레이션을 방지할 수 있으며, 또한, 제 1 오프닝의 상부를 제 2 절연막으로 밀봉하므로 제 2 감광막을 도포할 때 감광물질이 제 1 오프닝의 내에 잔류되지 않아 제 1 오프닝의 연장에 의한 제 1 배선의 노출 면적이 감소되는 것을 방지하여 접촉 저항의 증가를 억제할 수 있다.</p> |
