发明名称 具有不对称谐振隧道的发光二极管
摘要 一种基于具有电荷不平衡谐振隧道的双阱系统的LED,包括第一和第二耦合阱,一个阱是宽阱,另一个阱是有源量子阱。这些阱通过谐振隧道势垒耦合,该势垒能透过电子,阻挡空穴。
申请公布号 CN1283875A 申请公布日期 2001.02.14
申请号 CN00117642.0 申请日期 2000.05.26
申请人 华上光电股份有限公司 发明人 王望南;优利·G·施里特;优利·T·里班
分类号 H01L33/00;H01S5/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王以平
主权项 1、一种基于具有电荷不平衡谐振隧道的双阱系统的LED,包括第一和第二耦合阱,一个阱是宽阱,另一个阱是有源量子阱,这些阱通过谐振隧道势垒耦合,该势垒能透过电子,阻挡空穴。
地址 台湾省台北