高纯硅的制造方法及装置

摘要

将固体一氧化硅加热到1000℃以上、1730℃以下,所说的固体一氧化硅歧化反应,分解生成液体或固体硅和固体二氧化硅,然后将生成的硅与二氧化硅和/或一氧化硅分离,可以制造高纯硅。当碳C、硅Si和硅铁合金中任何一种物质或其组合与二氧化硅的混合原料一起加热时,发生含有一氧化硅气体的气体,冷却该含有一氧化硅的气体生成固体一氧化硅,这种方法能够得到所说的一氧化硅固体。

主权项

1、一种高纯硅的制造方法，其中将固体一氧化硅SiO加热到1000℃以上和1730℃以下温度下，使上述固体一氧化硅SiO因歧化反应而分解成液体或固体硅Si元素和固体二氧化硅SiO2，然后使生成的硅Si与二氧化硅和/或一氧化硅分离。