深硅槽工艺技术

摘要

本发明涉及集成电路技术,尤其是指一种制作深硅槽的工艺。该工艺包括a、氧化,在硅衬底上氧化一层几百纳米到1微米厚的介质薄膜;b、涂胶,在介质薄膜层上涂一层尽可能厚的光刻胶,以常规方法光刻、湿法腐蚀介质薄膜,至露出硅衬底窗口为止;c、注入,选择合适的离子和分子离子种类、进行离子注入;d、腐硅槽,在干法腐蚀设备上,使用反应离子模式、通以合适配比的CF₄和O₂气体进行DEEP－TRENCH。本发明具有工艺简单、深硅槽形貌好、无AL等金属沾污等优点。

主权项

1、深硅槽工艺技术，包括a、氧化或化学汽相沉积，在硅衬底上氧化或化学汽相沉积一层零点几微米到一点几微米厚的介质薄膜；b、涂胶，在介质薄膜上涂一层光刻胶，以常规方法光刻或湿法腐蚀介质薄膜，至露出硅衬底窗口止；其特征是接着进行c、注入，选择离子或分子离子、进行离子注入，注入能量为几十到一百几十千电子伏特，剂量为1015～16离子数/平方厘米；然后再进行d、腐硅槽，在干法腐蚀设备上，使用反应离子模式、通以CF4和O2的混合气体进行深硅槽加工。