| 摘要 |
<p>L'invention porte sur la fabrication d'un transistor MOS consistant à former une couche eutectique semi-conductrice (4) de silicium et de germanium sur un substrat semi-conducteur (10). La susdite couche (4) est d'abord dopée à une concentration en impuretés supérieure à 1020/cm3 par implantation d'ions, puis traitée thermiquement pour former une couche diffusée (5) de faible résistance et une jonction peu profonde par diffusion en phase solide à partir de la couche eutectique semi-conductrice (4). On élimine ensuite la couche eutectique semi-conductrice (4) dopée à l'aide d'une solution de décapage pour former les régions source et drain.</p> |
