| 主权项 |
1.一种驱动固态影像元件用之方法,此方法之特征是包含以下步骤:提供驱动固态影像元件,此元件含有第一某种-导电型式区域;第二某种-导电型式区域,其某种-导电型式杂质浓度比第一某种-导电型式区域更低且提供于第一某种-导电型式区域上而与第一某种-导电型式区域接触;相反-导电型式区域,会与第二某种-导电型式区域接触;一个某种-导电型式层,系与相反-导电型式区域一起形成一个p-n接面并与相反-导电型式区域一起构成一个发光二极体部分;以及在相反-导电型式区域与第一某种-导电型式区域之间施加一个具有偏向偏置的模糊现象抑制用电压以便在第二某种-导电型式区域之内形成一个空乏层边缘。2.如申请专利范围第1项之方法,其中依脉波形式在该相反-导电型式区域与该第一某种-导电型式区域之间施加一个偏向偏置电压以便于该第一某种-导电型式区域之内形成一个空乏层边缘而去除累积于发光二极体部分内的电荷。3.如申请专利范围第1项之方法,其中第一某种-导电型式区域与该第一某种-导电型式区域都是以磊晶成长法形成的区域。4.一种驱动固态影像元件用之方法,此元件含有:第一某种-导电型式区域;第二某种-导电型式区域,其某种-导电型式杂质浓度比第一某种-导电型式区域更低且提供于第一某种-导电型式区域上而与第一某种-导电型式区域接触;相反-导电型式区域,会与第二某种-导电型式区域接触;一个某种-导电型式层,系与相反-导电型式区域一起形成一个p-n接面并与相反-导电型式区域一起构成一个发光二极体部分;一个电荷传输单位;一个传输闸,其上具有用于将累积于发光二极体部分内的电荷传输到电荷传输单位的传输电极;该方法之特征是包含下列步骤:至少在曝光时间内,在该相反-导电型式区域与该第一某种-导电型式区域之间施加一个具有偏向偏置的模糊现象抑制用电压以便于该第二某种-导电型式区域之内形成一个空乏层边缘;在曝光时间的开始时间,依脉波形式在该相反-导电型式区域与该第一某种-导电型式区域之间施加一个偏向偏置电压以便于该第一某种-导电型式区域之内形成一个空乏层边缘而去除累积于发光二极体部分内的电荷;以及在曝光时间结束时,依脉波形式将一个电压施加在该相反-导电型式区域与该传输电极而将在曝光时间内累积于发光二极体部分内的电荷传输到一个该电荷传输单位上。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该第一某种-导电型式区域与该第一某种-导电型式区域都是以磊晶成长法形成的区域。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该第一某种-导电型式区域是形成于由矽制成具有某种-导电型式的基板。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一某种-导电型式区域是一种由矽制成具有某种-导电型式的基板,而该第二某种-导电型式区域是一个以磊晶成长法形成于该具有某种-导电型式的基板上的区域。8.如申请专利范围第4项之方法,其中该第一某种-导电型式区域是一种由矽制成具有某种-导电型式的基板,而该第二某种-导电型式区域是一个以磊晶成长法形成于该具有某种-导电型式的基板上的区域。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一某种-导电型式区域是形成于一个具有某种-导电型式的基板上的一种埋入式扩散层,而该第二某种-导电型式区域是一个以磊晶成长法形成的区域。10.如申请专利范围第4项之方法,其中该第一某种-导电型式区域是形成于一个具有某种-导电型式的基板上的一种埋入式扩散层,而该第二某种-导电型式区域是一个以磊晶成长法形成的区域。图式简单说明:第一图系用以显示习知固态影像元件内像素部分构造的简略区段图示。第二图系用以显示第一图中固态影像元件之像素部分内沿深度方向的电位分布。第三图系概念方式用以显示第一图固态影像元件中发光二极体部分的饱和电荷量额Qmax对基板电压之相依程度的曲线图。第四图系用以显示一种应用了本发明一个较佳实施例中之驱动方法的固态影像元件内像素部分构造的简略区段图示。第五图系用以显示一种用于如第四图所示固态影像元件之驱动用波形实例的时序图。第六图系用以显示第四图固态影像元件中发光二极体部分内沿深度方向之电位分布的曲线图。第七图系概念方式用以显示第四图固态影像元件中发光二极体部分的饱和电荷量额Qmax对基板电压之相依程度曲线图。第八图系用以显示一种应用了本发明另一个较佳实施例中之驱动方法的固态影像元件内像素部分构造的简略区段图示。第九图系用以显示第八图固态影像元件中发光二极体部分内沿深度方向之电位分布的曲线图。第十图系用以显示一种应用了本发明又一个较佳实施例中之驱动方法的固态影像元件内像素部分构造的简略区段图示。第十一图系用以显示第十图固态影像元件中发光二极体部分内沿深度方向之电位分布的曲线图。 |
