DRAM用之记忆体电容器

摘要

本发明系关于一种DRAM用之记忆体电容器,具有一种由氮化矽所构成之介电质及具有至少二个经由介电质而互相面对之电极。就电极而言其材料系使用一种在材料之费米位阶和介电质之导电带之间具有较高之穿透位障之此种材料。此处所适用之材料是金属,例如,铂,钨和铱或矽化物。

主权项

1.一种DRAM用之记忆体电容器,具有一种由氮化矽所构成之介电质以及至少二个经由介电质而互相面对之电极,其特征为:电极是由钨,铱或金属矽化物所构成。2.如申请专利范围第1项之记忆体电容器,其中介电质之层厚度大约是25。图式简单说明:第一图本发明之记忆体电容器中之导电带及价带。第二图现有之记忆体电容器中之导电带及价带。第三图以本发明而可达成之优点之图解。