| 主权项 |
1.一种高密度扩充槽改良结构,其包括有:一本体,系利用不导电材料制成,其中央沿其纵轴方向设置有一个插槽,以供一记忆体模组插置于其中,该插槽系由二个相对的侧壁所构成,该二侧壁系设置有多数个相对的容置槽,其特征在于:该容置槽系为多数个开放式容置槽及封闭式容置槽所构成,并以间隔方式相互配置,该开放式容置槽之内侧设有一开口,于开口之后端开设有一容置空间,于容置空间之后端设有一顶持空间;设置于多数个开放式容置槽中之外接触端子,其顶部设有向外延伸之翼部,该翼部可钩住于容置空间之壁面上;及设置于多数个封闭式容置槽中之内接触端子。2.如申请专利范围第1项所述之高密度扩充槽改良结构,其中,该封闭式容置槽之内侧设有一支撑板,于支撑板之下方设有一槽口。3.如申请专利范围第1项所述之高密度扩充槽改良结构,其中,该封闭式容置槽之内侧下方设有适当长度之夹持槽。4.如申请专利范围第1项所述之高密度扩充槽改良结构,其中,该开放式容置槽之容置空间的宽度较开口宽。5.如申请专利范围第1项所述之高密度扩充槽改良结构,其中,该开放式容置槽之顶持空间的宽度较容置空间小。6.如申请专利范围第1项所述之高密度扩充槽改良结构,其中,该顶持空间之壁面下方设有适当长度之夹持槽。图式简单说明:第一图系为本创作高密度扩充槽之改良结构之立体视图;第二图系为本创作高密度扩充槽之改良结构之立体分解视图;第三图系为本创作本体之立体视图;第四图系为第一图中沿4-4线所作之剖面图;第五图系为第一图中沿5-5线所作之剖面图;第六图系为本创作之俯视图;及第七图系为本创作之仰视图。 |
