| 主权项 |
1.一种内建指状平板式电容电阻之制造方法(一),其包括有:一于绝缘基材表底面依序形成高电阻系数层及铜层以构成基板之步骤;一于基板上涂布光阻并进行影像转移之步骤;一于基板上进行影像蚀刻,而分别在基材上分别形成交叉的指状电极、适当长宽的高电阻系数层及适当面积的铜层之步骤;一去除光阻步骤;一二次于基板进行光阻涂布及影像转移之步骤;一以选择性蚀刻液去除局部铜层,并保留高电阻系数层以构成平板式电阻之步骤;一于平板式电阻及交叉排列的指状电极间涂布高介电系数树脂,令指状电极隔着树脂构成平板式电容之步骤。2.如申请专利范围第1项所述内建指状平板式电容电阻之制造方法(一),该基板之基材系具备固定的(电阻系数/厚度)比値,可经控制高电阻系数层之长、宽度以取得所需阻値之电阻。3.如申请专利范围第1或2项所述内建指状平板式电容电阻之制造方法(一),该平板式电容之客値系根据公式:C= A=Lt前述为高介电系数树脂的介电系数,A为平板式电容之面积,d为电极的间距;其中L为指状电极的总长度,t则为指状电极之厚度。4.如申请专利范围第1或2项所述内建指状平板式电容电阻之制造方法(一),该平板式电阻阻値系根据:R= =( )( )决定,其中指高电阻系数层之电阻系数,L、W、T分别为高电阻系数层的长、宽、厚度。5.如申请专利范围第1项所述内建指状平板式电容电阻之制造方法(一),该基板上之高电阻系数层系由镍或钴合金层构成。6.一种内建指状平板式电容电阻(一),主要系于一绝缘基材表面、底面分别依序形成有高电阻系数层及铜层,其中基材表或底面之特定高电阻系数层与同一面之铜层构成电气连接而形成平板式电阻;又基材于同一铜层形成交叉的指状电极,该指状电极间充填有高介电系数材料,令电极隔着高介电系数材料构成平板式电容。7.如申请专利范围第6项所述之内建指状平板式电容电阻(一),该基材系具备固定的介电系数与厚度,经控制高电阻系数层之长、宽度以取得所需阻値之电阻。8.如申请专利范围第6项所述之内建指状平板式电容电阻(一),该平板式电容之容値系根据公式:C= A=Lt前述为高介电系数材料的介电系数,A为平板式电容之面积,d为电极的间距,其中L为指状电极的总长度,t则为电极之厚度。9.如申请专利范围第6项所述之内建指状平板式电容电阻(一),该平板式电阻之阻値系根据R= =( )( )决定,其中指高电阻系数层之电阻系数,L、W、T分别为高电阻系数层的长、宽、厚度。10.如申请专利范围第6项所述之内建指状平板式电容电阻(一),该高电阻系数层系由镍或钴合金层构成。11.如申请专利范围第6项所述之内建指状平板式电容电阻(一),该高介电系数材料除涂布于指状电极外,亦覆盖平板式电阻。12.如申请专利范围第6.8或11项所述之内建指状平板式电容电阻(一),该高介电系数材料系由树脂构成。图式简单说明:第一图:系本发明之制程方块图。第二图A-第二图G:系本发明之制程步骤示意图。第三图A-第三图E:系本发明平板式电容之制程步骤示意图。第四图:系本发明平板式电阻之剖视图。第五图:系本发明于平板式电阻上涂布树脂之剖视图。第六图:系本发明平板式电容之剖视图。 |
