| 主权项 |
1.一种于具有微细孔之阀作用金属表面上形成之 介质被膜上设有固体电解质层之固体电解电容器, 其特征乃在该固体电解质层之至少一部分系呈层 状构造。2.如申请专利范围第1项之固体电解电容 器,其中该固体电解质层系形成于该介质被膜之外 部表面或外部表面及微细孔部分内。3.如申请专 利范围第1项之固体电解电容器,其中该层状构造 之层间之至少一部分具有空间部。4.如申请专利 范围第1-3项之任一项之固体电解电容器,其中形成 该层状构造之固体电解质之各层的厚度在0.01-5m 之范围,而该固体电解质层之全体厚度在1-200m范 围。5.如申请专利范围第1-3项之任一项之固体电 解电容器,其中该固体电解质层系由含有电子共 轭系聚合物及/或其他种导电性聚合物之组成物所 构成。6.如申请专利范围第5项之固体电解电容器, 其中该导电性聚合物系由如下通式(I)所示构造之 反覆单元构成: (I) 式中:R1及R2为分别独立的代表氢原子、含C1-C6之直 链或支链饱和或不饱和烃基、含C1-C6之直链或支 链饱和或不饱和烷氧基、羟基、卤原子、硝基、 氰基、三卤甲基、苯基或被取代苯基,或R1及R2亦 可为互相在任意之位置结合而形成至少一个以上 之5-7节环之饱和或不饱和环状构造之二价基; X代表S、O、Se、Te或NR3,其中R3为氢原子、C1-C6之直 链或支链饱和或不饱和烃基、苯基、或C1-C6之直 链或支链饱和或不饱和烷氧基; R1,R2及R3所代表之烷基或烷氧基之链中亦可含有羰 基键、醚键、酯键、醯胺键及亚氨基键;及 代表0-1之范围。7.如申请专利范围第5项之固体 电解电容器,其中该导电性聚合物系由如下通式(II )所示构造之反覆单元构成: (II) 式中:R4及R5为分别独立的代表氢原子C1-C6之直链或 支链饱和或不饱和烃基、或代表C1-C6之烃基互相 在任意之位置结合而形成含有氧之至少一个以之5 -7节环之饱和烃之环状构造之取代基;该环状构造 包含具有可被取代之乙烯撑键及可被取代之苯撑 键构造者; 代表0-1之范围。8.如申请专利范围第5项之固体 电解电容器,其中该导电性聚合物系系由如下通式 (III)所示构造之反覆单元构成之缩合杂多环聚合 物: (III) 式中:R6.R7.R8.R9.R10及R11为分别独立的代表选自氢原 子、C1-C10之直链或支链烷基、烷氧基或烷酯基、 卤原子、硝基、氰基、1级(伯)、2级(仲)或3级(叔) 胺基、三卤甲基、苯基及取代苯基之一价基,或可 为R6.R7.R8.R9.R10及R11之烃链互相在任意之位置结合 而与受此等基取代之碳原子一起形成至少一个以 上之3-7节环之饱和或不饱和烃之环状构造之二价 基; R6.R7.R8.R9.R10及R11所代表之烷基、烷氧基、烷酯基 或由该等基形成之环状烃链中亦可含有任意数之 羰基键、醚链、酯键、醯胺键、硫醚键、亚硫醯 键、磺醯键及亚胺键; K为被吩环及带有取代基R6-R9之苯环包围之缩合 环之数,代表0或1-3之整数,但K=0之衍生物中,R6-R9之 全部代表氢原子之构造体除外,又缩合环亦可含有 1-2个之氮原子或N-氧化物; 代表0-1之范围; Z代表阴离子; j为Z之价数,代表1或2。9.如申请专利范围第8项之 固体电解电容器,其中通式(III)所示之缩合杂多环 聚合物系K=0之下示通式(IV)缩合杂多环聚合物: (IV) 式中:R6.R7.R8.R9.、Z及j与通式(III)所定义相同,而 该缩合环可含有1-2个之氮原子或N-氧化物。10.如 申请专利范围第9项之固体电解电容器,其中通式( IV)所示之缩合杂多环聚合物系选自5,6-二氧化亚甲 基一异硫撑聚合物及5,6-二甲氧基一异硫撑聚 合物之者。11.如申请专利范围第8项之固体电解电 容器之通式(III)所示之缩合杂多环聚合物系K=1之 下示通式(V)缩合杂多环聚合物: (V) 式中:R6.R7.R8.R9.R10.R11.、Z及j与通式(III)所定义者 相同,而该缩合环可含有1-2个之氮原子或N-氧化物 。12.如申请专利范围第5项之固体电解电容器,其 中该导电性聚合物为导电性聚吩,而含有该导电 性聚吩之阻成物中含有硫酸离子0.1-10莫耳范围 且含有磺酸离子1-50莫耳范围。13.如申请专利范 围第12项之固体电解电容器,其中该导电性聚吩 系由申请专利范围第7项之通式(II),所示构造之反 覆单元构成者。14.如申请专利范围第12项之固体 电解电容器,其中该硫酸离子系源自过硫酸盐之还 原物。15.一种于具有微细孔之阀作用金属表面上 形成之介质被膜上设有导电性聚合物阻成物构成 之固体电解层之固体电解电容器,其特征乃在该组 成物含有在其分子内具有1个以上之磺基阴离子基 及构造之磺基阴离子0.1-50莫耳且含有该磺基 阴离子以外之阴离子0.1-10莫耳范围者。16.如申 请专利范围第15项之固体电解电容器,其中该组物 中之导电性聚合物之主链系含有如下通式(I)所示 构造之反覆单元: (I) 式中:R1及R2为分别独立的代表氢原子、含C1-C6之直 链或支链饱和或不饱和烃基、含C1-C6之直链或支 链饱和或不饱和烷氧基、羟基、卤原子、硝基、 氰基、三卤甲基、苯基或被取代苯基,或R1及R2亦 可为互相在任意之位置结合而形成至少一个以上 之5-7节环之饱和或不饱和环状构造之二价基; X代表S、O、Se、Te或NR3,其中R3为氢原子、C1-C6之直 链或支链饱和或不饱和烃基、苯基、或C1-C6之直 链或支链饱和或不饱和烷氧基; R1,R2及R3所代表之烷基或烷氧基之链中亦可含有羰 基键、醚键、酯键、醯胺键及亚氨基键;及 代表0-1之范围。17.如申请专利范围第16项之固 体电解电容器,其中通式(I)所示之反覆单元具有如 下通式(II)所示构造: (II) 式中;R4及R5为分别独立的代表氢原子、C1-C6之直链 或支链饱和或不饱和烃基、或代表C1-C6之烃基互 相在任意之位置结合而形成含有氧之至少一个以 上之5-7节环之饱和烃之环状构造之取代基;该环状 构造包含具有可被取代之乙烯撑键及可被取代之 苯撑键构造者; 代表0-1之范围。18.如申请专利范围第15项之固 体电解电容器,其中该磺基阴离子之基本骨架系 选自对-苯、邻-苯、1,2-、1,4-、2,6- 、9,10-、1, 2-、1,4- 、5,6- 酯、6,12- 、并、、莰、2,3-莰烷二、9,10-菲 、2,7-芘之少一种。19.如申请专利范围第18项 之固体电解电容器,其中该磺基系含有在分子内 具有1个以上之磺基阴离子基及构造之磺基及 由该磺基产生之氢构造体及/或彼等之氮 (quinhydrone)。20.如申请专利范围第15-19项之任一项 之固体电解电容器,其中该磺基阴离子以外之阴 离子系氧化剂之退原体阴离子。21.如申请专利范 围第20项之固体电解电容器,其中该氧化剂之还原 体阴离子为硫酸离子。22.一种于具微细孔之阀作 用金属表面上形成之介质被膜上设有导电聚合物 组成物层构成之固体电解质层之固体电解电容器, 其中该组成物含有具有一个磺酸基之磺酸或由 其衍生选出之至少一种单磺酸阴离子作为掺杂 物(dopant)。23.如申请专利范围第22项之固体电解电 容器,其中该单磺酸阴离子之含量对导电性聚合 物之全体反覆单元言,系0.1-50莫耳范围。24.如申请 专利范围第22或23项之固体电解电容器,其中除了 含有上述之单磺酸阴离子之外,尚含有0.1-10莫耳 之具有掺杂物性能之氧化剂的还原体阴离子。25. 如申请专利范围第24项之固体电解电容器,其中该 氧化剂之还原体阴离子为硫酸离子。26.如申请专 利范围第22项之固体电解电容器,其中该磺酸之 衍生物系环之氢被C1-C12之直链或支链之饱和或 不饱和烃基或烷氧基之至少一个取代之单磺酸 。27.如申请专利范围第22项之固体电解电容器,其 中该导电性聚合物之主链系含有如下通式(I)所示 构造之反覆单元: (I) 式中:R1及R2为分别独立的代表氢原子、含C1-C6之直 链或支链饱和或不饱和烃基、含C1-C6之直链或支 链饱和或不饱和烷氧基、羟基、卤原子、硝基、 氰基、三卤甲基、苯基或被取代苯基,或R1及R2亦 可为互相在任意之位置结合而形成至少一个以上 之5-7节环之饱和或不饱和环状构造之二价基; X代表S、O、Se、Te或NR3,其中R3为氢原子、C1-C6之直 链或支链饱和或不饱和烃基、苯基、或C1-C6之直 链或支链饱和或不饱和烷氧基; R1,R2及R3所代表之烷基或烷氧基之链中亦可含有羰 基键、醚键、酯键、醯胺键及亚氨基键;及 代表0-1之范围。28.如申请专利范围第27项之固 体电解电容器,其中该通式(II)之反覆单元系如下 通式(II)所示构造之构造者: (II) 式中:R4及R5为分别独立的代表氢原子C1-C6之直链或 支链饱和或不饱和烃基、或代表C1-C6之烃基互相 在任意之位置结合而形成含有氧之至少一个以之5 -7节环之饱和烃之环状构造之取代基;该环状构造 包含具有可被取代之乙烯撑键及可被取代之苯撑 键构造者; 代表0-1之范围。29.一种于具有微细孔之阀作用 金属表面形成之介质被膜上设有固体电解质层之 固体电解电容器之制造方法,包括:将如下通式(VI) 所示之缩合杂多环化合物: (VI) 式中:R6.R7.R8.R9.R10及R11为分别独立的代表选自氧原 子、C1-C10之直链或支链烷基、烷氧基或烷酯基、 卤原子、硝基、氰基、1级(伯)、2级(仲)或3级(叔) 胺基、三卤甲基、苯基及取代苯基之一价基,或可 为R6.R7.R8.R9.R10及R11之烃链互相在任意之位置结合 而与受此等基取代之碳原子一起形成至少一个以 上之3-7节环之饱和或不饱和烃之环状构造之二价 基; R6.R7.R8.R9.R10及R11所代表之烷基、烷氧基、烷酯基 或由该等基形成之环状烃链中亦可含有任意数之 羰基键、醚链、酯键、醯胺键、硫醚键、亚硫醯 键、磺醯键及亚胺键; K为被吩环及带有取代基R6-R9之苯环包围之缩合 环之数,代表0或1-3之整数,但K=0之衍生物中,R6-R9之 全部代表氢原子之构造体除外,又缩合环亦可含有 1-2个之氮原子或N-氧化物; 代表0-1之范围; Z代表阴离子; j为Z之价数,代表1或2 单独或与具有掺杂物性能之其他阴离子一起,藉氧 化剂之作用在形成于具有微细孔之阀作用金属表 面之介质被膜上进行聚合,而于该介质被膜上形成 至少一部分为层状构造之固体电解质层。30.如申 请专利范围第29项之固体电解电容器之制造方法 中,其中该缩合杂多环化合物系选自二氢异硫、 二氢并[2,3-c]吩及三氢嗯并[3,4-b]恶衍 生物中之至少一种。31.如申请专利范围第29项之 固体电解电容器之制造方法,其中该缩合杂多环化 合物系选自1,3-二氢异硫、5,6-二氧代亚甲基-1,3- 二氢异硫、5,6-二甲氧基-1,3-二氢异硫、1,3-二 氢并[2,3-c]吩及1,3-二氢嗯并[3,4-b]恶之 至少一种。32.一种于具有微细孔之阀作用金属表 面形成之介质被膜上设有固体电解质层之固体电 解电容器之制造方法,包括:将如下通式(VII)所示之 缩合杂多环化合物: (VII) 式中:R6.R7.R8.R9.R10及R11及K与申请专利范围第29项所 述者具有相同意义,而缩合环亦可含有1-2个氮原子 或N-氧化物; 单独或与具有掺杂物性能之其他阴离子,藉氧化剂 之作用在形成于具有微细孔之阀作用金属表面之 介质被覆上进行聚合,而于该介质被膜上形成至少 一部分为层状构造之固体电解质层之申请专利范 围第1项所述之固体电解电容器之制法。33.如申请 专利范围第32项之固体电解电容器之制造方法,其 中该缩合杂多环化合物系选自二氢异硫-2-氧化 物、二氢并[2,3-c]吩-2-氧化物及二氢嗯并(3, 4-b)恶-2-氧化物衍生物之至少一种。34.如申请 专利范围第32项之固体电解电容器之制造方法,其 中该缩合杂多环化合物系选自1,3-二氢异硫-2-氧 化物、5,6-二氧化代至甲基-1,3-二氢异硫-2-氧化 物、5,6-二甲基-1,3-二氢异硫-2-氧化物、1,3-二氢 并[2,3-c]硫-2-氧化物及1,3-二氢嗯并[3,4-b] 恶-2-氧化物之至少一种。35.一种于具有微细孔 之关作用金属表面形成之介质被膜上,以导电性聚 硫组成物作高电解质,设有固体电解质层之固体 电解电容器之制造方法,包括:将如下通式(IX)所示 之硫单体: (IX) 置于磺酸阴离子之存在下,利用过硫酸盐之作用 聚合而于介质被膜上形成至少一部分为层状构造 之固体电解质层之申请专利范围第1项之固体电解 电容器之制法。36.如申请专利范围第35项之固体 电解电容器之制造方法,其中该过硫酸盐系过硫酸 铵或过磺酸钾。37.如申请专利范围第29-36项中之 任一项所述之固体电解电容器之制造方法,其系在 介质层之金属氧化物多孔质内,利用氧化剂之作用 反覆实行至少二次之聚合为其特征者。38.一种于 具有微细孔之阀作用金属表面形成之介质被膜上 设有导电性聚合物构成之固体电解质层之固体电 解电容器之制造方法,包括:将如通式(VIII)所示之 单体化合物: (VIII) 式中:R1.R2及X如同上述申请专利范围第16项所定义 于能提供磺基阴离子之化合物之存在下,利用氧 化剂之作用聚合而在介质被膜上形成至少一部分 为层状构造之固体电解质层之申请专利范围第15 项所述之固体电解电容器之制法。39.如申请专利 范围第38项之固体电解电容器之制造方法,其中通 式(VIII)之单体化合物系下式(IX)所示之化合物: (IX) 式中R4及R5如同上述如申请专利范围第17项所定义 。40.一种于具有微细孔之阀作用金属表面上形成 之介质被膜上设有导电性聚合物构成之固体电解 质层之固体电解电容器之制造方法,其系利用氧化 剂之作用使单体化合物在介质被膜上进行聚合形 成固体电解质层之方法,包括:将形成有介质被膜 层之关作用金属浸渍含有该单体化合物之溶液之 步骤,及浸渍于含有氧化物及阴离子之溶液之步 骤为特征之申请专利范围第15项之固体电解电容 器之制法。41.如申请专利范围第40项之固体电解 电容器之制造方法,包括:将形成有介质被膜层之 阀作用金属浸渍于含有单体化合物之溶液后,再浸 渍于含有氧化剂及磺基阴离子之溶液之步骤。 42.如申请专利范围第41项之固体电解电容器之制 造方法,包括将形成有介质被膜层之阀作用金属浸 渍于含有单体化合物之溶液后,再浸渍于含有氧化 剂及磺基阴离子之溶液之步骤多次地反覆实行 之步骤。43.如申请专利范围第42项之固体电解电 容器之制造方法,包括:其中对经过多次反覆浸渍 后之该形成有介质被膜层之阀作用金属进行洗净 及乾燥之步骤。44.如申请专利范围第40项之固体 电解电容器之制造方法,包括:将形成有介质被膜 层之阀作用金属浸渍于含有氧化剂及磺基阴离 子之溶液后,再浸渍于含有单体化合物之溶液之步 骤。45.如申请专利范围第44项之固体电解电容器 之制造方法,包括:将形成有介质被膜层之阀作用 金属浸渍于含有氧化剂及磺基阴离子之溶液后, 再浸渍于含有单体化合物之溶液之步骤多次比反 覆实行之步骤。46.如申请专利范围第45项之固体 电解电容器之制造方法,包括:对上述经过多次反 覆浸渍后之该形成有介质被膜层之阀作用金属进 行洗净及乾燥之步骤。47.一种于具有微细孔之阀 作用金属表面形成之介质被膜上设有由导电性聚 合物组成物构成之固体电解质层之固体电解电容 器之制造方法,系利用氧化剂之作用使单体化合物 在介质被膜上进行聚合形成固体电解质层之方法, 其特征包括:将该形成有介质被膜层之阀作用金属 浸渍于含有氧化剂之溶液之步骤及浸渍于含有磺 基阴离子之溶液之步骤之申请专利范围第15项 之固体电解电容器之制法。48.如申请专利范围第 47项之固体电解电容器之制造方法,包括:将形成有 介质被膜层之阀作用金属浸渍于含有氧化剂之溶 液后,再浸渍于含有单体化合物及磺基阴离子之 溶液之步骤。49.如申请专利范围第48项之固体电 解电容器之制造方法,包括:将形成有介质被膜层 之阀作用金属浸渍于含有氧化剂之溶液后,再浸渍 于含有单体化合物及磺基阴离子之溶液之步骤 多次地反覆实行之步骤。50.如申请专利范围第49 项之固体电解电容器之制造方法,包括:对上述对 经过多次反覆浸渍后之该形成有介质被膜层之阀 作用金属进行洗净及乾燥之步骤。51.如申请专利 范围第47项之固体电解电容器之制造方法,包括:将 形成有介质被膜层之阀作用金属浸渍于含有单体 化合物及磺基阴离子之溶液后,再浸渍于含有氧 化剂之溶液之步骤。52.如申请专利范围第51项之 固体电解电容器之制造方法,包括:将形成有介质 被膜层之阀作用金属浸渍于含有单体化合物及磺 基阴离子之溶液后,再浸渍于含有氧化剂之溶液 之步骤多次地反覆实行之步骤。53.如申请专利范 围第52项之固体电解电容器之制造方法,包括:对上 述经过多次反覆浸渍后之该形成有介质被膜层之 阀作用金属进行洗净及乾燥之步骤。54.如申请专 利范围第38-53项之任一项之固体电解电容器之制 造方法,其中之氧化剂为过硫酸盐。55.如申请专利 范围第40-53项之任一项之固体电解电容器之制造 方法,其中之氧化剂为过硫酸盐,而单体化合物为 具有下示通式(VIII)之化合物: (VIII) 式中:R1.R2及X系如上述申请专利范围第16项所定义 者。56.如申请专利范围第55项之固体电解电容器 之制造方法,其中式(VIII)所示之单体化合物为如下 通式(IX)所示之化合物 (IX) 式中:R4.R5系如上述申请专利范围第11项所定义者 。57.一种于具有微细孔之阀作用金属表面形成之 介质被膜上设有由导电性聚合物组成物构成之固 体电解质层之固体电解电容器之制造方法,包括: 利用氧化剂之作用使单体化合物在介质被膜上进 行聚合,其系含如下通式(VIII)之化合物: (VIII) (式中:R1.R2及X系如上述申请专利范围第27项定义者 ) 于能提供磺酸或其衍生物中选出之至少一种 单磺酸阴离子之化合物的存在下进行聚合以形成 固体电解质层为其特征之申请专利范围第22项之 固体电解电容器之制法。58.如申请专利范围第57 项之固体电解电容器之制造方法,其中式(VIII)所示 之单体化合物具有如下通式(IX)所示之构造: (IX) (式中:R4.R5系如上述申请专利范围第28项所定义者) 。59.一种于具有微细孔之阀作用金属表面形成之 介质被膜上设有由导电性聚合物组成物构成之固 体电解质层之固体电解电容器之制造方法,系利用 氧化剂之作用使单体化合物在介质被膜上进行聚 合形成固体电解质层之方法,其特征包括:将形成 有介质被膜层之阀作用金属浸渍于含有单体化合 物之步骤及浸渍于含有氧化剂及由具有一个磺酸 基之磺酸或其衍生物选出之至少一种单磺酸 阴离子之溶液之步骤之申请专利范围第22项之固 体电解电容器之制法。60.如申请专利范围第59项 之固体电解电容器之制造方法,包括: 将形成有介质被膜层之阀作用金属浸渍于含有单 体化合物之溶液后,再浸渍于含有氧化剂及由具有 一个磺酸基之磺酸或其衍生物选出之至少一种 单磺酸阴离子之溶液之步骤。61.如申请专利范 围第60项之固体电解电容器之制造方法,包括: 将形成有介质被膜层之阀作用金属浸渍于含有单 体化合物之溶液后,再浸渍于含有氧化剂及由具有 一个磺酸基之磺酸或其衍生物选出之至少一种 单磺酸阴离子之溶液之步骤多次反覆地实行之 步骤。62.如申请专利范围第61项之固体电解电容 器之制造方法,包括:对上述经过多次反覆浸渍后 之该形成有介质被膜层之阀作用金属进行洗净及 乾燥之步骤。63.如申请专利范围第59项之固体电 解电容器之制造方法,包括: 将形成有介质被膜层之阀作用金属浸渍于含有氧 化剂及由具有一个磺酸基之磺酸或其衍生物选 出之至少一种单磺酸阴离子之溶液后有浸渍于 含有单体化合物之溶液之步骤。64.如申请专利范 围第63项之固体电解电容器之制造方法, 将形成有介质被膜层之阀作用金属浸渍于含有氧 化剂及由具有一个磺酸基之磺酸或其衍生物选 出之至少一种单磺酸阴离子之溶液后,再浸渍于 含有单体化合物之溶液之步骤多次地反覆实行之 步骤。65.如申请专利范围第64项之固体电解电容 器之制造方法,包括: 将形成有介质被膜层之阀作用金属浸渍于含有氧 化剂及由具有一个磺酸基之磺酸或其衍生物选 出之至少一种单磺酸阴离子之溶液后,再浸渍于 含有单体化合物之溶液之步骤多次地反覆实行之 后,实行洗净及乾燥之步骤。66.一种于具有微细孔 之阀作用金属表面形成之介质被膜上设有导电性 聚合物组成物构成之固体电解质层之固体电解电 容器之制造方法,包括: 利用氧化剂之作用使单体化合物在介质被膜上进 行聚合以形成固体电解质层,其特征为具有将形成 有介质被膜层之阀作用金属浸渍于含有氧化剂之 溶液之步骤,及浸渍于含有单体化合物及由具有一 个磺酸基之磺酸或其衍生物选出之至少一种 单磺酸阴离子之溶液之步骤之申请专利范围第22 项所述之固体电解电容器之制法。67.如申请专利 范围第66项之固体电解电容器之制造方法,包括: 将形成有介质被膜层之阀作用金属浸渍于含有氧 化剂之溶液后,再浸渍于含有单体化合物及由具有 一个磺酸基之磺酸或其衍生物选出之至少一种 单磺酸阴离子之溶液之步骤。68.如申请专利范 围第67项之固体电解电容器之制造方法,包括: 将形成有介质被膜层之阀作用金属浸渍于含有氧 化剂之溶液后,再浸渍于含有单体化合物及由具有 一个磺酸基之磺酸或其衍生物选出之至少一种 单磺酸阴离子之溶液之步骤多次地反覆实行之 步骤。69.如申请专利范围第68项之固体电解电容 器之制造方法, 将形有介质被膜层之阀作用金属浸渍于含有氧化 剂之溶液后,再浸渍于含有单体化合物及由具有一 个磺酸基之磺酸其衍生物选出之至少一种单 磺酸阴离子之溶液之步骤多次地反覆实行之后,实 行洗净及乾燥之步骤。70.如申请专利范围第66项 之固体电解电容器之制造方法,其特征为具有将形 成有介质被膜层之阀作用金属浸渍于含有单体化 合物及由具有一个磺酸基之磺酸或其衍生物选 出之至少一种单磺酸阴离子之溶液后,再浸渍于 含有氧化剂之溶液之步骤。71.如申请专利范围第 70项之固体电解电容器之制造方法,包括: 将形成有介质被膜层之阀作用金属浸渍于含有单 体化合物及由具有一个磺酸基之磺酸或其衍生 物选出之至少一种单磺酸阴离子之溶液后,再浸 渍于含有氧化剂之溶液之步骤多次地反覆实行之 步骤。72.如申请专利范围第71项之固体电解电容 器之制造方法,包括: 将形成有介质被膜层之阀作用金属浸渍于含有单 体化合物及由具有一个磺酸基之磺酸或其衍生 物选出之至少一种单磺酸阴离子之溶液后,再浸 渍于含有氧化剂之溶液之步骤多次地反覆实行之 后,实行洗净及乾燥之步骤。73.如申请专利范围第 59-72项之任一项之固体电解电容器之制造方法,其 中该单体化合物系如下通式(VIII)所示之化合物: (VIII) (式中:R1.R2及X系如上述申请专利范围第27项所定义 者)。74.如申请专利范围第73项之固体电解电容器 之制造方法,其中该通式(VIII)所示之单体化合物系 如下通式(IX)所示之化合物: (IX) (式中:R4.R5系如上述申请专利范围第28项所定义者) 。75.如申请专利范围第57-72项之任一项之固体电 解电容器之制造方法,其中该氧化剂为过硫酸盐。 图式简单说明: 第一图为固体电解电容器之一例之纵断面图; 第二图为本发明实施例1之具有形成有导电性聚合 物层之微细孔构造之铝箔断面之扫描电子显微镜 照片(2,000倍); 第三图为第二图之微细孔构造之外部表面之部分 之放大扫描电子显微镜照片(10,000倍); 第四图为第三图之微细孔部分之放大扫描电子显 微镜照片(50,000倍)。 |
