| 主权项 |
1.一种沈积奈米级金粒子的方法,包括: (a)将一基板沈浸到一溶有氨基矽烷的有机溶剂中; (b)加热上述沈浸该基板之该溶液; (c)烘烤该基板; (d)将该基板沈浸到一含有金粒子之溶液;以及 (e)烘烤该基板。2.如申请专利范围第1项所述之方 法,其中步骤(a)之该基板为含二氧化矽之矽基板, 或含金属之氧化物层。3.如申请专利范围第1项所 述之方法,其中步骤(a)之该有机溶剂系择自甲苯, 二甲苯,苯,及氯仿所构成的族群。4.如申请专利范 围第1项所述之方法,其中步骤(a)之该氨基矽烷系 择自3-氨基丙基三甲氧基矽烷,及3-(2-氨基乙基氨 基)丙基三甲氧基矽烷所构成的族群。5.如申请专 利范围第1项所述之方法,其中步骤(a)之该溶于有 机溶剂的氨基矽烷溶液之浓度为0.01-1%(v/v)。6.如 申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(b)之该 加热之温度为80-120℃。7.如申请专利范围第1项所 述之方法,其中步骤(c)及步骤(e)之该烘烤之温度为 80-160℃。8.一种沈积奈米级金粒子于含二氧化矽 之矽基板上的方法,包括: (a)将含二氧化矽之该矽基板沈浸到一溶有氨基矽 烷的有机溶剂中; (b)加热上述沈浸该矽基板之该溶液; (c)烘烤该基板; (d)将该基板沈浸到一含有金粒子之溶液;以及烘烤 该基板。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中 步骤(a)之该有机溶剂系择自甲苯,二甲苯,苯,及氯 仿所构成的族群。10.如申请专利范围第8项所述之 方法,其中步骤(a)之该氨基矽烷系择自3-氨基丙基 三甲氧基矽烷,及3-(2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基 矽烷所构成的族群。11.如申请专利范围第8项所述 之方法,其中步骤(a)之该溶于有机溶剂的氨基矽烷 溶液之浓度为0.01-1%(v/v)。12.如申请专利范围第8项 所述之方法,其中步骤(b)之该加热之温度为80-120℃ 。13.如申请专利范围第8项所述之方法,其中步骤(c )及步骤(e)之该烘烤之温度为80-160℃。图式简单说 明: 第一图(a)系采用先前技艺(Sate,T.等人,J. Appl. Phys. 82(2),696-701 (1997))之方法所形成奈米级(-20nm)金粒子 于含二氧化矽之矽基板的情形;而第一图(b)为本发 明之方法所形成奈米级(-20nm)金粒子于含二氧化矽 之矽基板情形;第一图(c)乃含二氧化矽层之矽基板 并未浸入本发明的溶于甲苯之氨基矽烷溶液,而直 接浸入含金之柠檬酸溶液中,故金粒子并未能沈积 于其上。 |
