| 主权项 |
1.一种半导体装置,其包括一半导体晶片及一外部 接头,该外部接头系经由一聚醯亚胺带电联于该半 导体晶片,该聚醯亚胺带具有一导电层及两层夹置 该导电层之聚醯亚胺层, 该用以电联于该聚醯亚胺带之该导电层之外部接 头系位于该聚醯亚胺带之一表面上,以及 于该聚醯亚胺带之另一表面上该半导体晶片之一 垫片及该聚醯亚胺带之导电层系藉由焊剂连接。2 .如申请专利范围第1项之半导体装置,其中于该嵌 装之半导体晶片与该聚醯亚胺带间之间隙中的整 个区域(包括该半导体晶片与该聚醯亚胺带之连接 位置之周围)充填一树脂。3.一种组装半导体装置 之方法,其中,一外部接头经由一聚醯亚胺带电联 于一半导体晶片,该聚醯亚胺带具有一导电层及两 层夹置该导电层之聚醯亚胺层,该方法包括步骤: 于该半导体晶片之一垫片上或位于该垫片上之一 电极层上施加焊剂; 放置成使曝露于该聚醯亚胺带之一表面的该导电 层之一预定位置位于该焊剂之顶面;及 藉热压黏合法连接该聚醯亚胺带及该半导体晶片 。4.如申请专利范围第3项之组装半导体装置之方 法,其中另外包括步骤: 于该嵌装之半导体晶片与该聚醯亚胺带之间隔内 之整体区域(包括该半导体晶片与该聚醯亚胺带之 连接位置周围)充填一树脂,及 于曝露于该聚醯亚胺带另一表面上之该导电层之 一预定位置上形成外部接头。5.一种组装半导体 装置之方法,其中一外部接头系经由一聚醯亚胺带 电联于一半导体晶片上,该聚醯亚胺带系具有一导 电层及将该导电层夹置于其间之两聚醯亚胺层,该 方法包括步骤: 提供焊剂于分成数个晶片之前之处于半导体晶圆 状态之垫片上或于该垫片上所提供之电极层上; 放置成使曝露于该聚醯亚胺带之一表面上之该导 电层之预定位置位于该焊剂顶层; 藉热压黏合法连接该聚醯亚胺带及该半导体晶片; 以及 将该半导体晶圆分成晶片。6.如申请专利范围第5 项之组装半导体装置之方法,其中,于该聚醯亚胺 带及该半导体晶圆之连接步骤中,使用多片聚醯亚 胺带以将该半导体晶圆分成晶片区域。7.如申请 专利范围第5项之组装半导体装置之方法,其中, 于该聚醯亚胺带及该半导体晶圆之连接步骤中,使 用单一片聚醯亚胺带连接于所使用之半导体晶圆 之整体区域上且, 于将该半导体晶圆分割成晶片之步骤中,该聚醯亚 胺带系与该半导体晶圆一起分割。8.如申请专利 范围第5项之组装半导体装置之方法,其中,于该聚 醯亚胺带及该半导体晶圆之连接步骤中,当持住该 聚醯亚胺带与该半导体晶圆其中之一并使其与另 一者彼此压合时,使用具有弹性可吸收因压至特定 程度所致之推斥力的工具。9.如申请专利范围第5 项之组装半导体装置之方法,其中,于该聚醯亚胺 带及该半导体晶圆之连接步骤中,当持住该聚醯亚 胺带与该半导体晶圆其中之一并于一支架上使其 与另一者彼此压合时,使用具有弹性可吸收因压至 特定程度所致之推斥力的支架。10.如申请专利范 围第5项之组装半导体装置之方法,其另外包括步 骤: 于该嵌装之半导体晶片与该聚醯亚胺带间隔内之 整体区域(包括该半导体晶片与该聚醯亚胺带之连 接位置周围)充填一树脂;及 于曝露于该聚醯亚胺带另一表面上之该导电层之 预定位置上形成外部接头。11.如申请专利范围第 10项之组装半导体装置之方法,其中, 于该树脂充填步骤中,使用多个树脂注射口一起注 射所有树脂于该半导体晶圆整体表面上,或于位于 预定区域中之多个晶片区域,以及 于将该半导体晶圆分成晶片之步骤中,介于晶片区 域间之树脂部分系与该半导体晶圆一起切割。12. 一种半导体装置,包括: 一半导体晶片; 一导电性部分,其具有位于该半导体晶片表面上之 垫片、位于该垫片上之隆突金属层及位于该隆突 金属层上之焊剂层; 一中间导电构件,面向该半导体晶片表面,且具有 一导电层及位于该导电层两表面上之第一及第二 绝缘层; 一绝缘树脂,注入于介于该半导体晶片与该中间导 电性元件间之间隙中;及 一外部接头, 该中间导电构件之导电层的一表面系经由位于该 中间导电构件之第一绝缘层中之一开口连接于该 导电性部分之该焊剂层,而该中间导电构件之导电 层另一表面系经由位于该中间导电构件之第二绝 缘层中之另一开口连接于该外部接头。13.如申请 专利范围第12项之半导体装置,其中该导电性部分 系包括介于该半导体晶片表面与该垫片之间的障 壁金属层。14.如申请专利范围第12项之半导体装 置,其中该第一及第二绝缘层系由聚醯亚胺形成。 15.如申请专利范围第12项之半导体装置,其中该外 部接头系由焊剂材料形成。16.如申请专利范围第 12项之半导体装置,其中多个导电性部分系于该半 导体晶片之元件形成区域中排列成栅形阵列。图 式简单说明: 第一图系为相关技艺半导体装置之结构的剖面图; 第二图为相关技艺半导体装置组件中一光束前导 与一半导体晶片之连接部分的放大图; 第三图为相关技艺之垫片排列图型的放大图型,其 中该垫片系以阵列形式排列于该晶片表面之整体 区域及其组合体中一光束前导与该半导体晶片之 连接部分之整体后域上; 第四图系为第一具体实例之一半导体装置之结构 剖面图; 第五图系为该第一具体实例之半导体装置的组装 步骤剖面图,其显示直至于一半导体晶圆上形成焊 剂隆突物之状态; 第六图系为将该半导体晶圆分成晶片之后的状态 剖面图,由第五图连续; 第七图系为聚醯亚胺带与该焊剂隆突物之连接步 骤的剖面图,由第六图连续; 第八图A及第八图B系为第二具体实例之一半导体 装置的制造方法,显示将树脂注射于一半导体晶圆 中之步骤,其中一聚醯亚胺带系连接于个别晶片区 域上; 第九图系为形成该焊剂球之后的状态剖面图,由第 八图A及第八图B连续;且 第十图系为第三具体实例之组装方法中,该聚醯亚 胺带之黏着步骤的剖面图。 |
