发明名称 加强散热及电性之半导体封装
摘要 一种加强散热及电性之半导体封装,其建构在一BGA基板或积层板上,BGA基板或积层板上至少具有多个线路接点以及多个散热接点。晶片固定于基板上,其上之焊垫与线路接点电性连接,而晶片亦与散热接点连接,然而可以采用打导线或覆晶方式进行电性连接。液态封装材料则覆盖晶片、线路接点、散热接点及焊垫与线路接点连接的部分。散热导电盖具有一凹穴,覆盖于液态封装材料上,并与基板接合,使得液态封装材料位于凹穴中,且液态封装材料与散热导电盖接合。
申请公布号 TW421835 申请公布日期 2001.02.11
申请号 TW088105918 申请日期 1999.04.14
申请人 鑫成科技股份有限公司 发明人 刘澄浪
分类号 H01L21/60;H01L23/22 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种加强散热及电性之半导体封装,包括: 一基板,该基板至少具有复数个线路接点以及复数 个散热接点; 一晶片,该晶片具有一第一表面及一第二表面,该 晶片以该第二表面面向该基板的方式配置于该基 板上,其中该第一表面至少具有复数个焊垫,且每 一该些焊垫分别与该些线路接点以一导线电性连 接,该第二表面则与该些散热接点连接; 一液态封装材料,覆盖该晶片、该些导线、该些线 路接点及该些散热接点;以及 一散热导电盖,该散热导电盖具有一凹穴,该散热 导电盖覆盖于该液态封装材料上,并与该基板接合 ,使得该液态封装材料位于该凹穴中,且该液态封 装材料与该散热导电盖接合。2.如申请专利范围 第1项所述加强散热及电性之半导体封装,其中该 基板包括积层板。3.如申请专利范围第1项所述加 强散热及电性之半导体封装,其中该基板包括球格 状阵列式封装基板。4.如申请专利范围第1项所述 加强散热及电性之半导体封装,其中该液态封装材 料充满该凹穴。5.如申请专利范围第1项所述加强 散热及电性之半导体封装,其中该液态封装材料与 该凹穴间具有一空隙,且该液态封装材料与该散热 导电盖以一导热封装材料接合。6.如申请专利范 围第1项所述加强散热及电性之半导体封装,其中 该散热导电盖与该些线路接点之一电性连接。7. 如申请专利范围第1项所述加强散热及电性之半导 体封装,其中该散热导电盖更包括一第一表面、一 第二表面及一侧面,该凹穴系配置于该第一表面, 而该第二表面具有复数个鳍片。8.如申请专利范 围第7项所述加强散热及电性之半导体封装,其中 该侧面具有复数个鳍片。9.如申请专利范围第7项 所述加强散热及电性之半导体封装,其中该侧面具 有复数个凹槽。10.如申请专利范围第1项所述加强 散热及电性之半导体封装,其中该散热导电盖更包 括一第一表面、一第二表面及一侧面,该凹穴系配 置于该第一表面,而该第二表面具有复数个凹槽。 11.如申请专利范围第10项所述加强散热及电性之 半导体封装,其中该侧面具有复数个凹槽。12.如申 请专利范围第10项所述加强散热及电性之半导体 封装,其中该侧面具有复数个鳍片。13.如申请专利 范围第1项所述加强散热及电性之半导体封装,其 中该散热导电盖仅具散热功能。14.如申请专利范 围第1项所述加强散热及电性之半导体封装,其中 该散热导电盖仅具导电功能。15.如申请专利范围 第1项所述加强散热及电性之半导体封装,其中该 散热导电盖兼具散热及导电功能。16.一种加强散 热及电性之半导体封装,包括: 一基板,该基板至少具有复数个线路接点以及复数 个散热接点; 一晶片,该晶片具有一第一表面及一第二表面,该 晶片以该第一表面面向该基板的方式配置于该基 板上,其中该第一表面至少具有复数个焊垫,每一 该些焊垫上分别配置有一凸块,且部分该些焊垫分 别与该些线路接点以该些凸块电性连接,而部分该 些焊垫则分别与该些散热接点以该些凸块连接; 一填充材料,充满于该晶片之该第一表面与该基板 之间; 一散热导电盖,该散热导电盖具有一凹穴,该散热 导电盖覆盖于该晶片上,并与该基板接合,使得该 晶片位于该凹穴中;以及 一导热封装材料,配置于该晶片之该第二表面,使 得该晶片之该第二表面与该散热导电盖接合。17. 如申请专利范围第16项所述加强散热及电性之半 导体封装,其中该基板包括积层板。18.如申请专利 范围第16项所述加强散热及电性之半导体封装,其 中该基板包括球格状阵列式封装基板。19.如申请 专利范围第16项所述加强散热及电性之半导体封 装,其中该导热封装材料充满该凹穴。20.如申请专 利范围第16项所述加强散热及电性之半导体封装, 其中该晶片及该导热封装材料与该凹穴间具有一 空隙。21.如申请专利范围第16项所述加强散热及 电性之半导体封装,其中该散热导电盖与该些线路 接点之一电性连接。22.如申请专利范围第16项所 述加强散热及电性之半导体封装,其中该散热导电 盖更包括一第一表面、一第二表面及一侧面,该凹 穴系配置于该第一表面,而该第二表面具有复数个 鳍片。23.如申请专利范围第22项所述加强散热及 电性之半导体封装,其中该侧面具有复数个鳍片。 24.如申请专利范围第22项所述加强散热及电性之 半导体封装,其中该侧面具有复数个凹槽。25.如申 请专利范围第16项所述加强散热及电性之半导体 封装,其中该散热导电盖更包括一第一表面、一第 二表面及一侧面,该凹穴系配置于该第一表面,而 该第二表面具有复数个凹槽。26.如申请专利范围 第25项所述加强散热及电性之半导体封装,其中该 侧面具有复数个凹槽。27.如申请专利范围第25项 所述加强散热及电性之半导体封装,其中该侧面具 有复数个鳍片。28.如申请专利范围第16项所述加 强散热及电性之半导体封装,其中该散热导电盖仅 具散热功能。29.如申请专利范围第16项所述加强 散热及电性之半导体封装,其中该散热导电盖仅具 导电功能。30.如申请专利范围第16项所述加强散 热及电性之半导体封装,其中该散热导电盖兼具散 热及导电功能。图式简单说明: 第一图所绘示为习知球格状阵列式封装之剖面示 意图。 第二图A绘示依照本发明一较佳实施例的一种加强 散热及电性之半导体封装剖面示意图。 第二图B所绘示为依照本发明另一较佳实施例的一 种加强散热及电性之半导体封装剖面示意图。 第三图A、第三图B所绘示为对应第二图A、第二图B 之具有鳍片的散热导电盖剖面结构图。 第四图A、第四图B所绘示为对应第二图A、第二图B 之具有凹槽的散热导电盖剖面结构图。
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