| 发明名称 | 具有改进的半选择裕量的磁存储器结构 | ||
| 摘要 | 可增加半选择裕量的磁存储器包括磁存储单元阵列,每个滋存储单元阵列包括具有易磁化轴的数据存储层和导体阵列,每个导体与易磁化轴之间有一个方向夹角,它预置为可以增加磁存储器中的半选择裕量。方向夹角为使所选的存储单元中的水平写磁场增加而垂直写磁场减小。任一磁存储单元包括含有控制层的结构化的数据存储层,它减小了未选的磁存储单元被半选择开关的可能性。 | ||
| 申请公布号 | CN1282963A | 申请公布日期 | 2001.02.07 |
| 申请号 | CN00117928.4 | 申请日期 | 2000.05.29 |
| 申请人 | 惠普公司 | 发明人 | M·K·巴塔查亚;J·A·布鲁格 |
| 分类号 | G11C11/14;G11C5/00 | 主分类号 | G11C11/14 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 梁永;王忠忠 |
| 主权项 | 1、一种磁存储器，包括：磁存储单元阵列，每个磁存储单元包括具有易磁化轴的数据存储层；导体阵列，每个导体与易磁化轴之间有一个方向夹角，该角度被预置以增加磁存储器的半选择裕量。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||