| 发明名称 | GaN单晶衬底及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种GaN单晶衬底的制造方法,其特征在于,包括:屏蔽层形成工序,在GaAs衬底2上,形成具有相互隔离配置的多个开口窗10的屏蔽层8;和外延层生成工序,在屏蔽层8上,生长由GaN构成的外延层12。 | ||
| 申请公布号 | CN1283306A | 申请公布日期 | 2001.02.07 |
| 申请号 | CN98812716.4 | 申请日期 | 1998.10.29 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 元木健作;冈久拓司;松本直树 |
| 分类号 | H01L21/20;H01L21/205;H01L21/203;H01L21/208;H01L33/00;H01S5/323;C01B21/06 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 李晓舒 |
| 主权项 | 1．一种GaN单晶衬底的制造方法，其特征在于，包括：屏蔽层形成工序，在GaAs衬底上，形成具有相互隔离配置的多个开口窗的屏蔽层；和在所述屏蔽层上，生长由GaN构成的外延层的外延层生长工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||