发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
摘要 | 一种网格焊球阵列型半导体封装件,用粘接材料将半导体芯片安装在柔性膜衬底的表面上,在上述衬底的背面将多个突块电极排列成矩阵,并用树脂密封半导体芯片。具体地说,制作一个绝缘层来覆盖制作在衬底表面上的导电体层图形,并用粘接材料将半导体芯片安装在绝缘层上。上述绝缘层在上述半导体芯片下方的区域中被分割成多个互不相连的部分,利用这种被分割的绝缘层,防止了上述半导体芯片与上述导电体层图形之间的短路,并抑制了含有上述柔性膜的衬底的变形。 | ||
申请公布号 | CN1282982A | 申请公布日期 | 2001.02.07 |
申请号 | CN00118472.5 | 申请日期 | 1998.07.29 |
申请人 | 株式会社日立制作所;日立北海半导体株式会社 | 发明人 | 藤泽敦;今野贵史;大坂慎吾;春田亮;一谷昌弘 |
分类号 | H01L21/60;H01L21/58;H01L21/56 | 主分类号 | H01L21/60 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
主权项 | 1、半导体器件的制造方法,包括以下步骤:(a)制备由金属制成的引线框,上述引线框具有彼此平行延伸的框体,上述引线框在上述框体之间具有薄膜基底材料,其中,上述薄膜基底部件具有第一表面和与上述第一表面面对的第二表面,多个导电体形成于上述第一表面上;(b)在上述薄膜基底材料的上述第一表面上安装半导体芯片,上述半导体芯片具有形成于其主表面上的多个外部端子;(c)用引线分别电连接上述外部端子和上述导电体之间;(d)用树脂密封上述半导体芯片、上述多个导电体和上述引线;(e)在上述薄膜基底材料的上述第二表面上形成多个突块电极。 | ||
地址 | 日本东京 |