| 发明名称 | 化学机械研磨组合物及方法 | ||
| 摘要 | 本发明是提供一种用于半导体加工的化学机械研磨组成物,其包含水性介质、研磨颗粒及研磨促进剂,其中该研磨促进剂选自右式所示结构的化合物或其酸加成盐。其中X及Y是含有未键结孤对电子的原子或原子团;R<SUB>1</SUB>及R<SUB>2</SUB>各自独立代表H、烷基、氨基、氨基烷基或烷氧基。本发明的化学机械研磨组成物可视需要包含酸性介质或其盐类,以进一步促进研磨速率。本发明亦提供一种使用上述化学机械研磨组合物以研磨半导体晶圆表面的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1282775A | 申请公布日期 | 2001.02.07 |
| 申请号 | CN99111044.7 | 申请日期 | 1999.07.28 |
| 申请人 | 长兴化学工业股份有限公司 | 发明人 | 李宗和;李康华;叶萍 |
| 分类号 | C09K3/14;H01L21/31 | 主分类号 | C09K3/14 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 甘玲 |
| 主权项 | 1、一种化学机械研磨组合物，其包含水性介质、研磨颗粒及研磨促进剂，该研磨促进剂是选自下式所示结构的化合物或其酸加成盐或二或多种此等化合物及／或其酸加成盐的混合物：<img file="9911104400021.GIF" wi="315" he="184" />其中X及Y是含有未键结孤对电子的原子或原子团；R<sub>1</sub>及R<sub>2</sub>各自独立代表H、烷基、氨基、氨基烷基或烷氧基。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||