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发明名称 Method and structure for isolating semiconductor devices after transistor formation
摘要
申请公布号 US6184566(B2) 申请公布日期 2001.02.06
申请号 US09/150776 申请日期 1998.09.10
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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