发明名称 Insitu formation of TiSi2/TiN bi-layer structures using self-aligned nitridation treatment on underlying CVD-TiSi2 layer
摘要
申请公布号 US6184135(B2) 申请公布日期 2001.02.06
申请号 US09/163378 申请日期 1998.09.30
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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