| 主权项 |
1.一种半导体发光装置,包含:一种绝缘基体;以及一个形成于绝缘基体上之分层结构,该分层结构至少包括一个发光区,一个正极区,和一个负极区;其中一部份正极区和一部份负极区经由绝缘薄膜彼此重叠。2.根据申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中提供用于正极区之第一引线接合垫层和提供用于负极区之第二引线接合垫层,是沿着绝缘基体同侧彼此相邻形成。图式简单说明:第一图A至第一图D是根据本发明中的范例1,图示说明一个半导体发光装置的结构,其中第一图A是此装置的平面,而第一图B、第一图C和第一图D分别地是在第一图A之沿着直线1B-1B、直线1C-1C、和直线1D-1D的剖面图。第二图A至第二图D是根据本发明中的范例2,图示说明一个半导体发光装置的结构,其中第二图A是此装置的平面图,而第二图B、第二图C和第二图D分别地则是在第二图A中沿着直线2B-2B、直线2C-2C、和直线2D-2D的剖面图。第三图A至第三图B是图示说明一个使用氮化物类半导体材料之传统的氮化镓类复合型半导体发光装置,其中第三图A是此装置的一个平面图,而第三图B则是在第三图A沿着直线3B-3B的一张剖面示意图。 |
