| 主权项 |
1.一种降低半导体封装中之变形的方法,其包括:加热位在一具有一下板与一上板之夹住装置中之一平板,该下板与上板具有一大体上平坦的表面,藉此,于该下板与上板之间形成一温差;将已经封装后之半导体封装立即置于该下板与上板之间;将该半导体封装夹在该下板与上板之间;以及当该半导体封装已经充分冷却时将该半导体封装移开。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该半导体封装系朝向该下板而变形。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该加热步骤系仅在该下板上进行之。4.如申请专利范围第3项之方法,其进一步包括输送空气供应至该上板。5.如申请专利范围第3项之方法,其中该下板被加热至一介于25至120℃之间的温度。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该下板被加热至一介于50至70℃之间的温度。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该半导体封装系为一薄金属导线架封装(TQFP)。8.一种降低半导体封装中之变形的装置,其包括:一具有一下板与一上板之夹住装置,该下板与上板具有一大体上平坦的表面;一连接至该夹住装置以适当地控制提供热量至该等平板中之一者的加热控制器,俾以在该下板与上板之间形成一温差;藉此,当该半导体封装在被封装之后被夹在该下板与上板之间,该半导体封装维持在该下板与上板之间直至该半导体封装已经充分冷却。9.如申请专利范围第8项之装置,其进一步包括可控制地输送空气至一未被连接至一加热控制器之板的空气供应控制器。10.如申请专利范围第9项之装置,其中该半导体封装系为一朝向该下板而变形之TQFP。11.如申请专利范围第9项之装置,其中该加热控制器被连接至该下板。12.如申请专利范围第11项之装置,其中该加热控制器将该下板加热至一介于50至70℃之间的温度。13.一种使用一具有一下板、一上板及一被连接至该下板之加热控制器与一被连接至该上板之空气供应控制器的夹住装置来降低TQFP中之倒U型变形的方法,其包括:加热该夹住装置之该下板至一介于大约50至70℃之间的温度;输送空气供应至该上板;在TQFP已被封装之后将TQFP置于该下板与该上板之间;将TQFP夹在该下板与该上板之间;以及当TQFP已经充分冷却时将TQFP移开。14.一种决定用以降低半导体封装中之变形的装置内之一最佳温度的方法,该装置包括一具有一下板与一上板之夹住装置,该下板与上板具有一大体上平坦的表面,一被连接至一平板以可控制地提供热之加热控制器以及一用以输送空气至一未被连接至该加热控制器的平板之空气供应控制器,该方法包括:a)加热一平板至位在一预选的温度范围中之一温度;b)输送空气至一未被加热之平板;c)将一批的半导体封装在被封装之后立即将之置于该下板与上板之间;d)夹住该等半导体封装直至该等半导体封装已经充分冷却;e)由该夹住装置移出该等半导体封装;f)测量该批之半导体封装内每一者之变形値;g)由一不同之温度范围内选出一温度値并重覆步骤a)至f);h)比较来自于不同批次之变形値;以及i)选出一对应于一产生一最低变形程度之批次的温度范围。图式简单说明:第一图系一具有倒U型的变形之TQFP的侧视图。第二图(习之技艺)系一被夹在一用以降低变形的习之技艺的夹板装置中的TQFP的侧视图。第三图(习之技艺)系一被夹在一用以降低变形的习之技艺的负向夹板装置中的TQFP的侧视图。第四图系一TQFP的横截面图。第五图系一本发明之较佳实施例的侧视图。 |
