| 主权项 |
1.一种微型结构继电器,包含一主体包括上面和下面部分,其中此下面部分系自一基体形成,以及此上面部分系形成于此基体上以避免下面部分之结合至上面部分;一支承构件有第一终端固定于此主体以形成一悬臂,其中此支承构件之上表面和主体之上面部分之下表面形成一腔穴;以及一第一接触区放置于上表面上在支承构件之第二终端处,此第一接触区包含一第一触点,其中旋转此支承构件朝向下表面促使此第一触点成为电连结至一反触点。2.如申请专利范围第1项之微型结构继电器,其中此支承构件系藉静电力量朝向此下表面旋转,此静电力量藉供应一电压电位至第一和第二电极而产生,此第一电极系位于上表面上,以及此第二电极系位于下表面上。3.如申请专利范围第2项之微型结构继电器,另包含一第二接触区在下表面上,此第二接触区包含此第二触点。4.如申请专利范围第3项之微型结构继电器,其中此支承构件包含一S形状,当此支承构件系朝向下表面旋转时,此S形状为过动而装设。5.如申请专利范围第4项之微型结构继电器,其中此S形支承构件包含第一和第二应力层,此第一应力层感应一压缩应力于支承构件上以促使其背离下表面而弯曲,以及此第二应力层感应一拉伸应力于第一接触区上以促使第一接触区朝向下表面弯曲。6.如申请专利范围第5项之微型结构继电器,其中第一接触区朝向此下表面之弯曲界定一过动。7.如申请专利范围第6项之微型结构继电器,另包含一过动区于下表面内,此过动区容纳第一接触区之弯曲以防止此过动之被阻碍。8.如申请专利范围第7项之微型结构继电器,其中此支承构件包含硅。9.如申请专利范围第8项之微型结构继电器,其中此第一应力层包含氧化硅。10.如申请专利范围第9项之微型结构继电器,其中此第二应力层包含氮化硅。11.如申请专利范围第10项之微型结构继电器,其中此主体之下面部分包含硅。12.如申请专利范围第11项之微型结构继电器,其中此上面部分包含镍。13.如申请专利范围第12项之微型结构继电器,另包含一介质层自第二触点和第二电极隔离主体之上面部分。14.如申请专利范围第7项之微型结构继电器,其中此支承构件包含镍。15.如申请专利范围第14项之微型结构继电器,其中此第一应力感应层包含氧化硅,以及此第二应力感应层包含聚硅氧烷。16.如申请专利范围第15项之微型结构继电器,其中此聚硅氧烷包含掺杂之聚硅氧烷。17.如申请专利范围第16项之微型结构继电器,另包含一补偿层在相对此上表面之支承构件之一表面上,此补偿层有一热膨胀系数在量上类似于第一应力感应层之热膨胀系数。18.如申请专利范围第17项之微型结构继电器,其中补偿层之内禀应力较第一应力层之内禀应力为低以减少此补偿层在支承构件上之影响。19.如申请专利范围第2项之微型结构继电器,另包含一第二支承构件,此第二支承构件有一第一终端固定于主体,以及此第二触点被支承在第二支承构件之上表面上一第二终端处。20.如申请专利范围第19项之微型结构继电器,另包含一应力感应层在第一和第二支承构件之上表面上,此应力层感应一压缩应力于支承构件上以促使它以背离主体之上面部分之下表面弯曲。21.如申请专利范围第20项之微型结构继电器,其中此支承构件包含硅。22.如申请专利范围第21项之微型结构继电器,其中此应力感应层包含氧化硅。23.如申请专利范围第22项之微型结构继电器,其中此第二支承构件系较第一支承构件为短。24.如申请专利范围第23项之微型结构继电器,其中一过动系由此第二支承构件所界定。25.如申请专利范围第24项之微型结构继电器,另包含一过动区在第二支承构件上以确保当第一支承构件系朝向下表面旋转时此过动系不被阻碍。26.一种微型结构继电器,包含:一主体包括上面和下面部分;一支承构件由此主体支承于第一终端处以形成一悬臂,其中支承构件之一主要表面和主体之上面部分之下表面形成一腔穴;以及一第一接触区位于主要表面上在支承构件之第二终端处,此第一接触区包含一第一触点;此支承构件包含一S形状,其中支承构件之一主体弯曲于背离主体之上面部分之表面之一方向中,以及此第一接触区弯曲于朝向主体之上面部分之表面之一方向中;此S形支承构件,当朝向下表面旋转时,促使此第一触点成为电连结至一反触点。27.如申请专利范围第26项之微型结构继电器,其中此支承构件系藉静电力量而朝向此下表面旋转,此静电力量系藉供应一电压电位至第一和第二电极而产生,此第一电极系位于上表面上以及此第二电极系位于下表面上。28.如申请专利范围第27项之微型结构继电器,另包含一第二接触区在下表面上,此第二接触区包含此第二触点。29.如申请专利范围第28项之微型结构继电器,其中此S形支承构件包含第一和第二应力层,此第一应力层感应一压缩应力于支承构件上以促使它背离下表面弯曲,以及此第二应力层感应一拉伸应力于此第一接触区上以促使此第一接触区朝向下表面弯曲。30.如申请专利范围第29项之微型结构继电器,其中此第一接触区之朝向下表面之弯曲界定一过动。31.如申请专利范围第30项之微型结构继电器,另包含一过动区在下表面内,此过动区容纳第一接触区之弯曲以防止此过动之被阻碍。32.如申请专利范围第31项之微型结构继电器,其中此支承构件包含硅。33.如申请专利范围第32项之微型结构继电器,其中此第一应力层包含氧化硅。34.如申请专利范围第33项之微型结构继电器,其中此第二应力层包含氮化硅。35.如申请专利范围第34项之微型结构继电器,其中主体之下面部分包含硅。36.如申请专利范围第35项之微型结构继电器,其中此上面部分包含镍。37.如申请专利范围第36项之微型结构继电器,另包含一介质层自第二触点和第二电极隔离主体之上面部分。38.如申请专利范围第31项之微型结构继电器,其中此支承构件包含镍。39.如申请专利范围第38项之微型结构继电器,其中此第一应力感应层包含氧化硅,以及第二应力感应层包含聚硅氧烷。40.如申请专利范围第39项之微型结构继电器,其中此聚硅氧烷包含掺杂之聚硅氧烷。41.如申请专利范围第40项之微型结构继电器,另包含一补偿层在相对此上表面之支承构件之一表面上,此补偿层有热膨胀系数在量上类似于第一应力感应属之热膨胀系数。42.如申请专利范围第41项之微型结构继电器,其中此补偿层之内禀应力较第一应力层之内禀应力为低以减少补偿层在支承构件上之影响。43.如申请专利范围第27项之微型结构继电器,另包含一第二支承构件,此第二支承构件有一第一终端固定于主体,以及此第二触点被支承在第二支承构件之一上表面上一第二终端处,其中此支承构件系藉静电力量朝向下表面旋转,此静电力量系藉应用一电压电位至第一和第二电极而产生,此第一电极系放置于上表面上以及此第二电极系放置于下表面上。44.如申请专利范围第43项之微型结构继电器,另包含一应力感应层在第一和第二支承构件之上表面上,此应力层感应一压缩应力于支承构件上以促使其背离主体之上面部分之下表面而弯曲。45.如申请专利范围第44项之微型结构继电器,其中此支承构件包含硅。46.如申请专利范围第45项之微型结构继电器,其中此应力感应层包含氧化硅。47.如申请专利范围第46项之微型结构继电器,其中此第二支承构件系较第二支承构件为短。48.如申请专利范围第47项之微型结构继电器,其中一过动系由此第二支承构件所界定。49.如申请专利范围第48项之微型结构继电器,而包含一过动区在第二支承构件上以确保此过动当此第一支承构件系朝向下表面旋转时系不被阻碍。50.一种用以制造微型结构体之方法,包含:提供一基体具有一第一涂料区之含有第一类之掺杂剂者;提供一第二涂料区含第二类之掺杂剂,其中第一和第二涂料区形成一图形在基体之一表面上相当于一外貌;蚀刻处理以自此基体之表面移除此第一或第二涂料区以形成一外貌,其中经已移出之涂料区含一高掺杂剂浓度以便能使此浸蚀剂来形成具有少于250微米之侧向面积之开口。51.如申请专利范围第50项之方法,其中此高掺杂剂浓度于此涂料区内之系被移出者,包含一掺杂剂浓度可产生小于6ohm-cm之一电阻率。52.如申请专利范围第50项之方法,其中此系被移出之涂料区内之高掺杂剂浓度可产生大约50mohm-cm之电阻率。53.如申请专利范围第52项之方法,其中此开口系小于60微米。54.如申请专利范围第50项之方法,其中此第一区含p型掺杂剂以形成一p型掺杂剂区,以及此第二涂料区含n型掺杂剂以形成一n型涂料区。55.如申请专利范围第54项之方法,其中此p型之涂料区系由一p型基体所提供,以及此n型涂料区系藉离子埋置以形成此图形以选择性地掺涂此基体而提供。56.如申请专利范围第54项之方法,其中此p型涂料区系藉埋置p型掺杂剂进入基体内而提供,以及此n型涂料区系藉选择性地埋置n型掺杂剂进入基体内以形成此图形而提供。57.如申请专利范围第55或56项之方法,其中此p型区系由电子化学蚀刻所移出。58.如申请专利范围第57项之方法,其中此p型涂料区之掺杂剂浓度产生有一小于6ohms-cm之电阻率之p型区。59.如申请专利范围第57项之方法,其中p型涂料区之掺杂剂浓度产生有大约50mohm-cm之电阻率之p型区。60.如申请专利范围第59项之方法,其中此开口系小于60微米。图式简单说明:第一图a-第一图b系依照本发明之实施例之一继电器之横截面和平面图;第二图a-第二图b系依照本发明之另一实施例之一继电器之横截面及平面图;第三图至第八图系立体图,说明依照本发明之一实施例制造一继电器之程序;第九图和第十图系立体图,说明制造一继电器之另一可供选择方法;以及第十一图和第十二图系立体图,说明制造一继电器之另一可供选择方法。 |
