| 主权项 |
1.一种施加磁场之柴氏晶体生长装置,包含至少一 生长炉供容纳熔化之半导体材料,拉引机构供拉引 晶体自熔化之半导体材料于一预定方向,及一磁场 产生器供产生施加至熔化半导体材料之磁场, 其中磁场产生器包含多数磁铁单元及一耦合机构 将磁铁单元耦合一起,使至少一生长炉位于磁铁单 元间。2.如申请专利范围第1项之晶体生长装置,其 中各磁铁单元包含机构供产生垂直于该预定方向 而延伸之磁场。3.如申请专利范围第1项之晶体生 长装置,其中各磁铁单元包含机构供产生延伸于该 预定方向之磁场。4.如申请专利范围第1项之晶体 生长装置,其中耦合机构包含固定长度支承杆。5. 如申请专利范围第1项之晶体生长装置,其中耦合 机构包含可变长度支承杆。6.如申请专利范围第1 项之晶体生长装置,其中各磁铁单元具电流供应机 构以供应不同数値之电流。7.如申请专利范围第1 项之晶体生长装置,其中磁铁单元具机构可产生延 伸于同向之磁场并形成Helmholtz磁场。8.如申请专 利范围第1项之晶体生长装置,其中磁铁单元具机 构可产生延于反向之磁场并形成Cusp磁场。9.如申 请专利范围第1项之晶体生长装置,其中各磁铁单 元为一直接冷却式超导磁铁并包含真空容器,超导 线圈分别位于真空容器中,而冰冻器分别直接冷却 超导线圈,以设定超导线圈于超导状态。10.如申请 专利范围第9项之晶体生长装置,其中各磁铁单元 另包含辐射屏蔽分别位于真空容器(25a,25b)中,并由 冰冻器(29a,29b)冷却。11.如申请专利范围第1项之晶 体生长装置,其中耦合机构包含串接磁铁单元之机 构。12.如申请专利范围第1项之晶体生长装置,其 中各磁铁单元为一间接冷却超导磁铁并包含由冷 媒冷却之超导线圈而设定于超导状态。13.如申请 专利范围第1项之晶体生长装置,其中至少一生长 炉包含一炉体,一坩埚位于炉体中供容纳半导体材 料,一加热器供加热坩埚中半导体材料,及一生长 并向上拉引晶体之机构。14.如申请专利范围第13 项之晶体生长装置,其中用于生长并向上加拉晶体 之机构包含转动晶体与坩埚彼此相对之机构。15. 如申请专利范围第1项之晶体生长装置,其中至少 一磁铁单元具孔,孔中提供至少一生长炉。图式简 单说明: 第一图为习知MCZ装置垂直截面图。 第二图为第一图MCZ装置所结合之磁场产生器立体 图; 第三图为第一图MCZ装置所结合另一磁场产生器立 体图; 第四图为第二图及第三图所示磁场产生器之一截 面图; 第五图为另一种习知MCZ装置垂直截面图; 第六图为习知MCZ装置所结合磁场产生器之缺点说 明; 第七图为本发明第一例MCZ装置截面图; 第八图为第七图所示MCZ装置结合之磁场产生器立 体图; 第九图为第七图所示MCZ装置所用耦合机构; 第十图为第七图所示MCZ装置所用另一种耦合机构; 第十一图为本发明第二例MCZ装置截面图; 第十二图为第十一图MCZ装置所结合磁场产生器立 体图; 第十三图为本发明第三例MCZ装置中所结合二相同 磁铁单元之一截面图;及 第十四图为本发明第四例之MCZ装置所结合之磁铁 单元立体图。 |
