| 主权项 |
1.一种半导体装置,具一氢供应层位于半导体区上 方,故氢供应层与半导体区分开;及一氢扩散阻隔 层由高熔点金属或其化合物构成,氢扩散阻隔层位 于氢供应层上故氢扩散阻隔层与氢供应层接触。2 .如申请专利范围第1项之半导体装置,其中半导体 区包含一薄膜电晶体之源极,汲极及通道区。3.如 申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中半导体 区具多晶矽。4.如申请专利范围第1或2项之半导体 装置,其中半导体区具非晶矽。5.如申请专利范围 第1项之半导体装置,其中氢供应层具SiN。6.如申请 专利范围第1项之半导体装置,其中氢供应层具非 晶矽。7.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中 氢扩散阻隔层放置使至少半导体区完全覆以该氢 扩散阻隔层。8.如申请专利范围第1项之半导体装 置,其中高熔点金属为Ti,Ta及W任一。9.如申请专利 范围第1项之半导体装置,其中高熔点金属之化合 物为TiN及TaN任一。10.如申请专利范围第1项之半导 体装置,其中氢供应层及氢扩散阻隔层具相同形状 。11.一种显示装置,包含; 一主动矩阵基底,包含; 一氢供应层位于半导体区上方,故氢供应层与半导 体区分开, 一氢扩散阻隔层由高熔金属或其他合物构成,氢扩 散阻隔层位于氢供应层上故氢扩散阻隔层与氢供 应层接触, 一图素电极位于氢扩散阻隔层上经由一绝缘层,其 中氢扩散阻隔层亦作为一遮光层, 一相对基底位置相对于主动矩阵基底;及 一液晶材料置于主动矩阵基底与相对基底间。12. 如申请专利范围第11项之显示装置,其中以具半导 体区之半导体装置切换图素电极。13.如申请专利 范围第11或12项之显示装置,其中氢扩散阻隔层可 导电并具固定电位。14.如申请专利范围第11项之 显示装置,其中半导体区位于多数资料线与多数扫 瞄连接于主动矩阵基底上之各交叉。15.如申请专 利范围第11项之显示装置,其中绝缘层具SiN。16.如 申请专利范围第11项之显示装置,其中主动矩阵基 底具一玻璃基底作为一基础基底。17.如申请专利 范围第11项之显示装置,其中主动矩阵基底具一石 英基底作为一基础基底。18.如申请专利范围第11 项之显示装置,其中主动矩阵基底具一单晶矽基底 作为一基础基底。19.如申请专利范围第18项之显 示装置,其中形成单晶矽基底而除去其位于影像显 示区下部分,使显示装置操作为光透射式。20.如申 请专利范围第11项之显示装置,其中主动矩阵基底 具一驱动电路置于影像显示区之周界区内。21.如 申请专利范围第11项之显示装置,其中图素电极为 透明,放入射光可通过图素电极而显示一影像。22. 如申请专利范围第11项之显示装置,其中图素电极 为反射性,故入射光可由图素电极反射而显示一影 像。23.如申请专利范围第11项之显示装置,其中显 示装置可经由一放大光学系统投射一影像而显示 一放大影像。24.如申请专利范围第11项之显示装 置,其中显示装置装于目镜上。25.一种半导体装置 之制法,半导体装置包含一氢供应层位于一半导体 区中,故氢供应层与半导体区分开;及一氢扩散阻 隔层由高熔点金属或其化合物构成位于氢供应层 上,故氢扩散阻隔层与氢供应层接触, 方法特征在于氢供应层出电浆CVD形成。26.一种显 示装置之制法,显示装置包含: 一主动矩阵基底,包含: 一氢供应层位于半导体区上方,故氢供应层与半导 体区分开, 一氢扩散阻隔层由高熔点金属或其混合物构成,氢 扩散阻隔层位于氢供应层上,故氢扩散阻隔层与氢 供应层接触,及 一图素电极经由一绝缘层位于氢扩散阻隔层上,其 中氢扩散阻隔层亦作为一遮光层, 一相对基底位置与主动矩阵基底相对;及 液晶材料置于主动矩阵基底与相对基底间, 方法特征在于以电浆CVD形成氢供应层。27.一种显 示装置,包含一主动矩阵基底,其具一图素电晶体 及一图素电极置于多数资料连接与多数扫瞄连接 之各交叉;一共同电极基底包含一共同电极与主动 矩阵基底相对放置;及一液晶材料置于主动矩阵基 底与共同电极基底间。 显示装置特征在于主动矩阵基底包含一氢供应层 位于图素电晶体上;及一遮光层于氢供应层上, 其中图素电极经由一绝缘膜置于遮光层上。28.如 申请专利范围第27项之显示装置,其中氢供应层具 SiN。29.如申请专利范围第28项之显示装置,其中氢 供应层具非晶矽。30.如申请专利范围第27至29项任 一项之显示装置,其中氢供应层与遮光层形状相同 。31.如申请专利范围第30项之显示装置,其中遮光 层具高熔点金属或其化合物。32.如申请专利范围 第31项之显示装置,其中高熔点金属为Ti,Ta及W任一 。33.如申请专利范围第31项之显示装置,其中高熔 点金属化合物为TiN及TaN任一。34.如申请专利范围 第27项之显示装置,其中绝缘层具SiN。35.如申请专 利范围第27项之显示装置,其中贮存电容与遮光层 图素电极,及遮光层上绝缘膜一起形成。36.如申请 专利范围第35项之显示装置,其中贮存电容直接置 于图素电晶体上。图式简单说明: 第一图为根据本发明半导体装置之双闸极P通道薄 膜电晶体截面图。 第二图为根据本发明具一氢供应层及氢扩散阻隔 层形成相同图案之一装置截面图。 第三图为根据本发明液晶显示装置一图素之示意 图。 第四图为第三图沿线4-4之截面图。 第五图为实例2一主动矩阵基底截面图。 第六图A为实施2液晶显示装置截面图。 第六图B为例示膜结构之截面图。 第七图为实例3-主动矩阵基底截面图。 第八图为实例3一液晶显示装置之截面图。 第九图A及第九图B为一放大光学系统示意图。 第十图A及第十图B各例示头载显示装置之光学路 径。 第十一图A为一主动矩阵液晶显示装置之方块图。 第十一图B为其影像显示单元之放大图。 第十二图A及第十二图B各为构成一图素之TFT截面 图。 |
