| 摘要 |
본 발명은 반응성 이온 에칭 챔버 내에 반도체 기판을 넣고 메탄, 수소 및 프레온을 공급하고, 약 1 내지 약 100mTorr의 진공 조건 하에, 약 100℃의 상승된 온도에서 에칭될 기판을 유지시킴으로써 III 내지 V족 반도체 재료를 에칭시키는 방법에 관한 것이다. 여기서 사용된 온도는 III 내지 V족 조성물에 대한 선행 기술의 반응성 이온 에칭에서 사용된 온도보다 실질적으로 높으며, 에칭되는 기판의 온도가 약 34℃ 임을 제외하고는, 여기서 사용된 모든 재료 및 파라미터를 사용한 반응성 이온 에칭의 시험에 비해서 실질적으로 우수한 결과를 제공한다. 메탄의 양은 약 5 내지 약 50 SCCM, 바람직하기로는 약 10 SCCM의 유속으로, 수소의 유속은 약 0 내지 약 40 SCCM, 바람직하기로는 약 30 SCCM이고, 프레온의 유속은 약 5 내지 약 50 SCCM, 바람직하기로는 약 17 SCCM 일 수 있다. 이러한 방법으로, 관능성 InAlAs/InGaAs 이종 접합 바이폴러 트랜지스터(HBTs) 및 HBT 회로는 건식 에칭법을 사용하여 제작될 수 있다. 또한, 자기 정합된 소형 기하 구조물, 예를 들면, 에미터 HBTs, HBTs로 이루어진 링 오실레이터와 비교 회로 및 전자 디바이스 및 광디바이스, 예를 들면 레이저는 상기 방법을 사용하여 제작될 수 있다. |
