| 摘要 |
<p>Selon la présente invention, un procédé de gravure en retrait d'un matériau de charge, destiné à une connexion enterrée pour des condensateurs à tranchée profonde, comprend les étapes consistant à former une tranchée (110) dans un substrat (102), à remplir la tranchée d'un premier matériau de charge (113), à évider le premier matériau de charge jusqu'à une profondeur prédéterminée par rapport à un collier diélectrique (116) formé dans la tranchée, à former une motte (105) par gravure en retrait du collier diélectrique, à déposer un revêtement (132) sur le premier matériau de charge et des parties du substrat exposées par la déformation de la tranchée, et à déposer un second matériau de charge (134) sur le revêtement. Une surface (131) du second matériau de charge est préparée par gravure de la surface avec un agent de gravure humide pour produire une surface en silicium à liaisons hydrogène. La gravure humide du second matériau de charge est exécutée pour graver en retrait le second matériau de charge sélectif vis-à-vis du revêtement et du substrat. Le second matériau de charge est gravé pour former une connexion enterrée (140).</p> |
