| 摘要 |
<p>초박형 SOI 기판상에 ESD 보호 소자를 형성하는 방법은 : 절연 영역을 단결정 실리콘기판상에 형성하는 공정 및 선택적으로 도전하는 영역을 상기 단결정 실리콘기판상에 형성하는 공정을 포함하는, 단결정 실리콘기판을 마련하는 공정; 도판트로써 상기 선택적으로 도전하는 층을 도핑하는 공정; 선택된 절연 영역 및 상기 도프된, 선택적으로 도전하는 영역 위에 실리콘층을 에피택시얼 성장시키는 공정; 상기 에피택시얼 성장된 실리콘층내로 도판트를 재분산시키도록 상기 기판과 그 기판상에 형성된 구조체를 약 850℃ 내지 1150℃의 온도로 약 30분 내지 3시간 동안 가열하는 공정; 상기 구조체에 추가적인 층의 제조를 완료하는 공정; 및 상기 구조체를 메탈라이징하는 공정을 포함한다.</p> |
