| 发明名称 | 电子管的氧化物阴极 | ||
| 摘要 | 在包括金属基底、形成在金属基底上的至少含有Ｂａ的电子发射材料层、及用于加热电子发射材料层的装置的氧化物阴极中，电子发射材料层进一步包括镧氧化物和铽氧化物的至少一种，并形成针状结构，或电子发射材料进一步包括镧氧化物和铽氧化物中的至少一种，且金属基底在真空下受到热处理。该氧化物阴极能延长寿命，并有可能与常规工艺相替换的制作工艺。$#! | ||
| 申请公布号 | CN1061462C | 申请公布日期 | 2001.01.31 |
| 申请号 | CN93121498.X | 申请日期 | 1993.12.29 |
| 申请人 | 三星电管株式会社 | 发明人 | 崔钟书;孙景千;崔龟锡;朱圭楠;李相沅 |
| 分类号 | H01J1/14;H01J1/20;H01J29/04 | 主分类号 | H01J1/14 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 1．一种氧化物阴极，包括：金属基底；形成在金属基底上的、至少包含Ba的电子发射材料层；以及用于加热电子发射材料层的装置，其特征在于，电子发射材料层进一步包括镧氧化物和铽氧化物中的至少一种，并形成针状晶体结构，其含量为根据电子发射材料的总重量的重量百分比为0．0001％至5％的范围内。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道华城郡 | ||