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摘要 Improved electroytic deposition of semiconductors is obtained by separating the anode from the cathode by an ion-exchange membrane. The process is useful in the deposition of IIB/VIB semiconductors in the fabrication of photovoltaic cells
申请公布号 JP3130940(B2) 申请公布日期 2001.01.31
申请号 JP19930507532 申请日期 1992.10.15
申请人 发明人
分类号 C25D9/08;C25D17/00;H01L21/208;H01L21/368;H01L31/04;H01L31/18;(IPC1-7):C25D17/00 主分类号 C25D9/08
代理机构 代理人
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