半导体工件处理装置及方法

摘要

一种晶片处理装置包括处理室,设置在处理室中支撑晶片的吸盘(104),以及与吸盘间隔开的底座(102)。第一导热气体层提供在吸盘和晶片之间,第二导热气体层提供在基座和吸盘之间的空间中。将第一导热气体层的压力控制在与压力变化相比第一导热气体导热率基本上不变的压力范围内,控制第二导热气体的压力以控制传递到/来自基座的热量。

主权项

1．一种晶片处理装置，特征在于包括：处理室；吸盘(104)，设置在所述处理室(100)中用于支撑晶片；与所述吸盘间隔开的底座(102)；第一气体输送机构(109，110)，在所述吸盘和所述晶片之间提供第一气体层；第二气体输送机构(118，120)，在所述底座和所述吸盘之间提供第二气体层；第一压力控制器(112)，用于控制第一气体层(He)的压力；第二压力控制器(122)，用于控制第二气体层(He)的压力；以及控制电路(114)，用于控制所述第一压力控制器(112)，以控制第一气体层的压力，以便第一气体层处于相对于第一气体层的压力变化第一气体层的导热率基本上不变的压力范围内，还用于控制所述第二压力控制器(122)，以控制第二气体层的压力，由此控制传递到／来自所述底座的热量。