发明名称 一种纳米碳化硅晶须的制备方法
摘要 一种纳米碳化硅晶须的制备方法,将净碳质溶胶和净硅溶胶按碳和硅摩尔比(3-8)∶1于室温下搅拌混合24小时,制得二元净炭质-硅溶胶;在100-150℃干燥4-6小时得元干凝胶,或进行超临界干燥20-180分钟,得到二元气凝胶,然后进行碳热还原反应,最后脱碳,脱去SiO<SUB>2</SUB>,制得纯纳米碳化硅晶须。该方法晶须转化率高,该碳化硅晶须具有高熔量、高强度、高模量,热膨胀率低及耐腐蚀、耐磨等优良特性。
申请公布号 CN1281910A 申请公布日期 2001.01.31
申请号 CN99110846.9 申请日期 1999.07.21
申请人 中国科学院山西煤炭化学研究所 发明人 刘朗;李轩科;沈士德;凌立成
分类号 C30B29/36;C30B29/62;C01B31/36 主分类号 C30B29/36
代理机构 中国科学院山西专利事务所 代理人 魏树巍;张承华
主权项 1.一种纳米碳化硅晶须的制备方法,其特征在于具体步骤如下:(1)将炭质水性中间相溶解于有机溶剂或氨水,得到炭质溶胶-凝胶,然后加入无水乙醇或丙酮脱除其中的有机溶剂或氨水,制得净炭质溶胶;(2)加入无水乙醇或丙酮脱除硅溶胶中的溶液,制得净硅溶胶;(3)将净炭质溶胶和净硅溶胶按炭和硅摩尔比(3-8)∶1于室温下搅拌混和24小时,制得二元净炭质-硅溶胶;(4)将二元净炭质和硅溶胶于100-150℃干燥4-6小时,得到二元干凝胶;(5)将所制得的二元干凝胶置于石墨坩锅中,在氩气气氛下以(1-20)℃/min的升温速率升到1300-1600℃,进行碳热还原反应,维持温度0.5-4小时,制得未提纯纳米碳化硅晶须;(6)将未提纯的纳米碳化硅晶须在450-480℃下灼烧16-24小时脱碳,然后在HF溶液中脱去SiO2,制得纯纳米碳化硅晶须。
地址 030001山西省太原市165信箱