MIS半导体器件的制造方法

摘要

本发明涉及采用低温工艺制造高可靠性的ＭＩＳ半导体器件。公开了一种制造ＭＩＳ半导体器件的方法，其中，在半导体基片或者半导体薄膜中有选择地形成掺杂区，于是采取预防措施，以便激光或者相当的高强度光能照射到掺杂区和其相邻的有源区之间的边界，并且从上面照射激光或者相当的高光强的光，而达到激活的效果。$#!

主权项

1．一种制造MIS半导体器件的方法，包括下列步骤：在半导体上形成掩模；用所述掩模，通过将杂质选择性地引进半导体以形成杂质区；除去所述掩模；在除去所述掩模后，用光照射所述半导体以在至少杂质区增加其结晶性；以及在所述增加结晶性步骤后，在位于所述杂质区之间的一部分半导体上形成栅电极，且在所述部分和所述栅电极之间有一绝缘膜。