| 发明名称 | 接触结构及半导体器件 | ||
| 摘要 | 要提高半导体器件中与各向异性导电膜接触的可靠性,有源矩阵基片上的连接端子(183)的端子部分(182)通过各向异性导电膜(195)电连接到FPC(191)。连接布线(183)在有源矩阵基片上源极/漏极布线的相同工艺中制造,并由金属膜和透明导电膜的叠层膜制成。在具有各向异性导电膜(195)的连接部分中,连接布线(183)的侧面由绝缘材料制成的保护膜(173)覆盖。因此可以避免金属膜被透明导电膜、绝缘底膜以及与之接触的保护膜(173)环绕的部分暴露到空气。 | ||
| 申请公布号 | CN1282106A | 申请公布日期 | 2001.01.31 |
| 申请号 | CN00121737.2 | 申请日期 | 2000.07.24 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平 |
| 分类号 | H01L23/52;H01L23/48 | 主分类号 | H01L23/52 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 梁永;张志醒 |
| 主权项 | 1．一种接触结构，通过各向异性导电膜将基片上的连接布线连接到另一基片上的布线，其中所述连接布线为金属膜和透明导电膜形成的叠层膜，以及在所述各向异性导电膜的连接部分中，所述金属膜的侧面由保护膜覆盖。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||