发明名称 FETs having lightly doped drain regions that are shaped with counter and noncounter dorant elements
摘要
申请公布号 US6180470(B2) 申请公布日期 2001.01.30
申请号 US08/770046 申请日期 1996.12.19
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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