Selectively doped electrostatic discharge layer for an integrated circuit sensor,申请号US09/144182-传众专利搜索

发明名称	Selectively doped electrostatic discharge layer for an integrated circuit sensor
摘要
申请公布号	US6180989(B2)	申请公布日期	2001.01.30
申请号	US09/144182	申请日期	1998.08.31
申请人		发明人
分类号		主分类号
代理机构		代理人
主权项
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