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发明名称 UNDOPED SILICON DIOXIDE AS ETCH STOP FOR SELECTIVE ETCH OF DOPED SILICON DIOXIDE
摘要
申请公布号 KR20010006099(A) 申请公布日期 2001.01.26
申请号 KR1019997009177 申请日期 1999.10.07
申请人 发明人
分类号 H01L21/302 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
主权项
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