发明名称 |
Verfahren zur Behandlung eines Halbleiterwafers und Halbleiterwafer-Tragelement |
摘要 |
Verfahren zur Behandlung eines Halbleiterwafers, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte: Befestigen eines Halbleiterwafers mit darauf ausgebildeten Schaltungen an einem Halbleiterwafer-Tragelement (11) mit einem Datenträger (1); Eingeben von für die Halbleiterwaferbearbeitung erforderlichen Informationen in den Datenträger (1); und Lesen der Informationen von dem Datenträger (1) und Bearbeiten des Halbleiterwafers gemäß den gelesenen Informationen. Die zur Prozeßsteuerung für die Halbleiterwaferbearbeitung erforderlichen Informationen werden in einen Datenträger (1) eines Halbleiterwafer-Tragelements (11) eingeprägt, so daß die Belastung des Hostcomputers verringert wird und die erforderlichen Informationen beim Übertragen der Wafer zwischen den Werken zusammen mit den Wafern übertragen werden. Außerdem können eine Reihe von Bearbeitungsoperationen in der gleichen Anordnung, in der der Wafer (Chip) an dem Tragelement (11) gehalten wird, ausgeführt werden, um somit eine Prozeßsteuerung für ihn zu erleichtern.
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申请公布号 |
DE10023758(A1) |
申请公布日期 |
2001.01.25 |
申请号 |
DE20001023758 |
申请日期 |
2000.05.15 |
申请人 |
LINTEC CORP., TOKIO/TOKYO |
发明人 |
IWAKATA, YUICHI;NOGUCHI, HAYATO;TAGUCHI, KATSUHISA;EBE, KAZUYOSHI |
分类号 |
H01L21/304;H01L21/00;H01L21/301;(IPC1-7):H01L23/544;G06K19/00 |
主分类号 |
H01L21/304 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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