| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件,在焊盘开口工序中,即使对准标志直至侧面被过腐蚀并露出,也可防止在其后的工序中剥离对准标志,在熔丝熔断时可以进行熔丝熔断用的对准标志的检测。该半导体器件包括:半导体衬底11、对准标志27a、和栓塞26,且在半导体衬底上形成的多层布线的最上层中形成所述对准标志27a,在对准标志下层的绝缘层中形成的接触孔中埋入并形成所述栓塞26,并接触对准标志。 | ||
| 申请公布号 | CN1281257A | 申请公布日期 | 2001.01.24 |
| 申请号 | CN00122585.5 | 申请日期 | 2000.06.28 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 小池英敏 |
| 分类号 | H01L23/522;H01L23/535;H01L21/768;H01L21/60 | 主分类号 | H01L23/522 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1．一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底：在所述半导体衬底上形成的多层布线的最上层中形成的对准标志；和栓塞，其被埋入形成在所述对准标志下层的绝缘层中形成的接触孔中，并接触所述对准标志。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||