| 发明名称 | 采用环形器件的字线驱动电路 | ||
| 摘要 | 此处公开了一种增强了驱动性能的晶体管的分布,它包括多个导体图形,其中的导体图形包括包围器件扩散接触的环形部分,且此环形部分形成绝缘栅场效应晶体管(IGFET)的栅导体。 | ||
| 申请公布号 | CN1281251A | 申请公布日期 | 2001.01.24 |
| 申请号 | CN99110455.2 | 申请日期 | 1999.07.14 |
| 申请人 | 国际商业机器公司;西门子公司 | 发明人 | 海因茨·霍尼格施密德;德米特里·奈蒂斯 |
| 分类号 | H01L21/70;H01L27/00 | 主分类号 | H01L21/70 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1．一种增强了驱动能力的驱动晶体管的分布，它包含：衬底的物理上不间断的有源半导体区；多个布置在所述有源半导体区上的导体图形，每个所述导体图形包括一个或更多个环形部分，所述环形部分包围器件扩散接触区，所述环形部分还形成绝缘栅场效应晶体管(IGFET)的栅导体。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||