发明名称 |
Process for correcting the topography of microelectronic substrates |
摘要 |
<p>La présente invention concerne un procédé de correction des effets topographiques sur substrat en microélectrique, caractérisé par le fait qu'il comprend les étapes consistant à déposer une couche de résine (200) sur la structure à planariser comportant une topographie en relief entourée de zones d'isolement et soumettre cette couche de résine (200) au niveau de ces zones superposées aux zones de forte densité de topographie sous-jacente à une photo lithographie à l'aide d'un masque possédant des mailles standard sans coïncidence univoque avec la topographie sous-jacente. <IMAGE></p> |
申请公布号 |
EP1071122(A1) |
申请公布日期 |
2001.01.24 |
申请号 |
EP20000402053 |
申请日期 |
2000.07.19 |
申请人 |
FRANCE TELECOM |
发明人 |
SCHILTZ, ANDRE;PAOLI, MARYSE;SCHIAVONE, PATRICK;PROLA, ALAIN |
分类号 |
H01L21/027;G03F7/20;H01L21/3105;(IPC1-7):H01L21/310 |
主分类号 |
H01L21/027 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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