| 摘要 |
<p>Die Vorrichtung zur Herstellung eines SiC-Einkristalls (32) umfaßt einen Tiegel (10) mit einer Tiegelinnenzone (11). Innerhalb dieser befinden sich ein Vorratsbereich (12) für einen Vorrat aus festem SiC (30) und ein Kristallbereich (13), in dem der SiC-Einkristall (32) auf einen SiC-Keim kristall (31) aufwächst. Außerhalb des Tiegels (10) ist eine Heizeinrichtung (16) angeordnet. Der Tiegel (10) ist auf einer der Tiegelinnenzone (11) zugewandten Seite mit einer Folie (17) aus Tantal, Wolfram, Niob, Molybdän, Rhenium, Iridium, Ruthenium, Hafnium oder Zirkon ausgekleidet. Dadurch ergibt sich eine Abdichtung des Tiegels, und es wird eine Reaktion der aggressiven Komponenten der SiC-Gasphase mit der Tiegelwand verhindert.</p> |
